Transphorm 氮化鎵技術率先達成短路穩健里程碑，造福電動驅動應用

善用 Transphorm 常關型平台基本優勢，與安川電機共創佳績

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球新一代電力系統中的氮化鎵 ( GaN) 技術領導者 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布透過一項專利技術，成功在氮化鎵功率電晶體達成長達 5 微秒的短路耐受時間 (SCWT)。這項極具突破性成就為全體業界創下重要的里程碑，也證明 Transphorm 的氮化鎵能夠滿足由矽絕緣閘極雙極性電晶體 (IGBT) 或碳化矽 (SiC) 金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 製成的伺服馬達、工業馬達及傳統汽車動力系統等耐用型電源轉換器的短路耐受需求。未來 5 年內，氮化鎵市場規模預計將超過 30 億美元。

此次的展示由 Transphorm 與其長期戰略合作夥伴安川電機株式會社 (Yaskawa Electric Corporation) 共同研發。安川電機是一家全球領先的中低壓驅動器、伺服系統、機械控制器以及工業機器人供應商。這次的成果驗證了氮化鎵適用於伺服系統的功率轉換技術。相較於現有的解決方案，氮化鎵更能滿足高效率、小尺寸的需求。為此，氮化鎵必須透過嚴格的穩健測試。測試過程中，短路耐受性是最具挑戰性的。發生短路時，設備必須承受高電流及高電壓等極端條件。由於系統需要數微秒的時間檢測故障並暫停運作，設備在短時間內必需承受極端條件。

安川電機基礎研發管理經理 Motoshige Maeda 表示：「如果功率半導體設備無法抵禦短路事件，系統本身可能會無法作用。以往的認知是氮化鎵功率電晶體無法滿足重型功率應用的短路要求，但在與 Transphorm 合作多年後，原先的認知已徹底遭到推翻。我們對他們團隊取得的成就感到振奮，並期待能夠運用氮化鎵來提升產品設計。」

這項短路技術在一個新型 15 mΩ 650 V 氮化鎵設備上展示。值得注意的是，該設備在 50 kHz的硬切換條件下達到了 99.2% 的峰值效率和 12 kW 的最大功率，不僅展示了氮化鎵的高性能，同時也展現了其耐高溫/高壓的能力。

Transphorm 的聯合創辦人兼技術長 Umesh Mishra 表示：「發生短路時，標準的氮化鎵設備只能抵禦數十微秒。這對於完成故障檢測和安全關斷太過於短暫。透過我們的串聯結構設計和關鍵專利技術，我們在沒有任何外部元件支援下，成功達到 5 微秒的短路耐受時間，在不增加成本的情況下有效地滿足高性能的需求。我們非常瞭解人們對於電源轉換系統有著高功率、高性能的需求。憑藉公司悠久的創新歷史以及豐富經驗，我們突破了氮化鎵的應用價值。本次的成果再次驗證了 Transphorm 高壓氮化鎵穩健性和可靠性的全球領導地位，也將改寫氮化鎵在馬達驅動和其他高功率系統中的應用。」

有關本次短路耐受時間的成就及相關展示分析等詳細說明，將於明年的功率電子產品大會上再度展示。

關於 Transphorm

Transphorm, Inc. 是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計和製造用於高壓功率轉換應用的高效能、高可靠性氮化鎵半導體。Transphorm 擁有龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合，持有或取得授權的專利超過 1000 項，生產了業界首款符合 JEDEC和AEC-Q101 標準的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的元件商業模式，公司能夠在包括設計、製造、元件和應用支援在內的每個開發階段進行創新。Transphorm 的創新使功率電子產品超越了矽的限制，實現了99% 以上的效率，將功率密度提高 50%，並使系統成本降低 20%。Transphorm 總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。歡迎在 Twitter @transphormusa 以及微信 @Transphorm_GaN 上追蹤我們。

關於安川電機株式會社

安川電機株式會社總部位於日本北九州，是一家全球領先的運動控制、機器人和系統工程核心技術供應商。安川電機成立於 1915年，100 年來一直為客戶提供卓越體驗。作為機電一體化解決方案專家，公司產品銷往全球，已累計生產交流驅動器逾2000萬台，伺服馬達逾 1500 萬台，機器人逾 30 萬台。更多資訊，請造訪：www.yaskawa.co.jp。

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