Toshiba发布有助于提高电源效率的600V超级结结构N沟道功率MOSFET

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)扩大了其采用最新一代工艺制造的N沟道功率MOSFET产品线^[1]，该产品采用适合数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器的600V超级结结构。新产品“TK055U60Z1”是DTMOSVI系列中的首款600V产品，自即日起开始发货。

通过优化栅极设计和工艺，与具有相同漏源电压额定值的Toshiba当前一代DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品单位面积漏源导通电阻降低约13%，MOSFET性能品质因数漏源导通电阻×栅漏电荷约降低52%，从而确保该系列同时实现低导通损耗和低开关损耗，有助于提高开关电源的效率。

新产品采用TOLL封装，可实现其栅极驱动的信号源端子开尔文连接。封装中源极线中电感的影响得以降低，从而增强MOSFET的高速开关性能，抑制开关期间的振荡。

Toshiba将继续扩大其600V DTMOSVI系列产品阵容，及其已经发布的650V DTMOSVI系列产品，并通过降低开关电源的功率损耗来支持节能。

注：
[1] 截至2023年6月。

应用

• 数据中心（服务器用开关电源等）
• 光伏发电机功率调节器
• 不间断电源系统

特点

• 实现低漏源导通电阻×栅漏电荷，并实现高效率开关电源

主要规格
（如无其他规定，Ta=25°C）
部件号				TK055U60Z1
绝对最大 额定值	漏源电压VDSS (V)			600
	漏极电流(DC) ID (A)			40
	沟道温度Tch (°C)			150
电气特性	漏源导通电阻 RDS(ON) (mΩ)	VGS=10V	最大	55
	总栅极电荷Qg (nC)		典型	65
	栅极漏极电荷Qgd (nC)		典型	15
	输入电容Ciss (pF)		典型	3680
封装	名称			TOLL
	尺寸(mm)		典型	9.9×11.68, t=2.3
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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和商业伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD产品。
公司在全球的2.15万名员工共同致力于最大限度提高公司产品价值，不断强化与客户的密切合作，携手创造价值，合作开发新市场。在目前近8000亿日元（61亿美元）年销售额的基础，Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation期待为全人类创造更美好的未来并做出相关贡献。
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