Transphorm發佈業界首款1200 V GaN-on-Sapphire裝置仿真模型

裝置與Transphorm創新的常關型GaN平臺相容，適用於新一代汽車和三相電系統

加利福尼亞州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）是提供高可靠性、高效能氮化鎵 (GaN) 電源轉換產品的全球領軍企業。該公司今日宣布推出其1200 V FET仿真模型和初步資料表。TP120H070WS FET是目前唯一一款1200 V GaN-on-Sapphire功率半導體，開創了同類產品的先河。這一發佈表明Transphorm有能力推進未來的汽車電源系統以及已普遍用於工業、資料通訊和可再生能源市場的三相電系統。以上應用將受益於1200 V GaN裝置更高的功率密度和可靠性，以及相當於或優於替代技術的性價比。Transphorm與近日驗證了GaN裝置在100 kHz開關頻率的5 kW 900 V降壓型轉換器中的更高效能。1200 V GaN裝置實現了98.7%的效率，超過了具有相似額定值的量產SiC MOSFET。

創新的1200 V技術也凸顯了Transphorm在GaN功率轉換領域的領導地位。垂直整合、磊晶所有權和專利工藝與累積數十年的工程專業知識相結合，讓公司能夠將最高效能的GaN裝置產品組合推向市場，並呈現四大差異化因素：可製造性、可駕馭性、可設計性和可靠性。

5月9日至11日期間，PCIM 2023與會者可在7號展廳的108號展位向Transphorm代表瞭解有關1200 V裝置的更多資訊。

初步裝置模型的規格與存取

Transphorm的1200 V裝置基於久經考驗的工藝和成熟的技術，滿足客戶的可靠性需求。GaN-on-Sapphire工藝目前已在LED市場上量產。此外，1200 V裝置應用了Transphorm當前產品組合中所採用的高可靠性、高效能的常關型GaN平臺。

TP120H070WS裝置的主要規格包括：

• 70 mΩ R_DS(on)
• 常關型
• 高效雙向電流
• ± 20 Vmax柵極穩健性
• 低4V柵極驅動噪聲抗擾度
• 零反向恢復電荷（Q_RR）
• 三接腳TO-247封裝

Verilog-A裝置模型宜與SIMetrix Pro v8.5電路模擬器結合使用。LTSpice模型正在開發中，將於2023年第四季度發佈。仿真建模可實現快速高效的電源系統設計驗證，同時縮減設計迭代、開發時間和硬體投資。

裝置模型檔案和資料表可在此處下載：https://www.transphormusa.com/en/products/#models。

1200 V FET樣品預計將於2024年第一季度推出。

Transphorm GaN在汽車電源系統和充電生態系統中的應用

1200 V GaN裝置是相容於各市場應用的最佳解決方案，而其在汽車系統方面有著獨特的優勢。

電動車行業，尤其是大型車輛的更高功率峰值需求，將在這一個十年的後半期轉向800 V電池，而1200 V電源轉換器將用於提供所需的效能水平。基於此，Transphorm的1200 V裝置有望在新一代車載充電器、直流變壓器、驅動逆變器和充電樁系統中大顯身手。

Transphorm推出的650 V常關型SuperGaN^® FET適合當前採用400 V電池的電動車型號，該產品符合AEC-Q101標準，可承受175°C高溫並已量產。

Transphorm的聯合創辦人兼首席技術長Umesh Mishra表示：「我們是領先的功率半導體企業，一直致力於兌現對GaN的承諾。基於我們的專業能力，我們將獨一無二的GaN裝置推向市場，並不斷刷新著功率密度、效能和系統成本的新標準。我們的1200 V技術證明了我們工程團隊的創新願景和決心。我們旨在證明，GaN能夠在之前由碳化矽壟斷的應用市場中輕鬆發揮效用，這為我們的業務和GaN的推廣開拓了廣泛的市場應用潛力。」

關於 Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性氮化鎵半導體功率元件。Transphorm 擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過 1,000 多項，在業界率先生產經 JEDEC 和 AEC-Q101 認證的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm 的創新使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過 99%、將功率密度提高 50% 以及將系統成本降低 20%。Transphorm 的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa和微信 @ Transphorm_GaN上關注我們。

SuperGaN 標誌是 Transphorm, Inc. 的註冊商標。所有其他商標是其各自所有者的財產。

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