Transphorm stellt sechs SuperGaN-FETs vor, die Pin-zu-Pin-kompatibel mit e-mode-Bauteilen sind

Neue Industriestandard-PQFN-Gehäuse dienen als einfacher Drop-in-Ersatz mit höherer Performance über d-mode GaN

GOLETA, Kalifornien--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN, ein Pionier und weltweiter Anbieter von extrem zuverlässigen, leistungsfähigen Stromumwandlungsprodukten auf Basis von Galliumnitrid (GaN), gab heute die Verfügbarkeit von sechs (6) oberflächenmontierbaren Bauelementen (SMDs) bekannt, die in den Industriestandard-Gehäusen PQFN 5x6 und 8x8 erhältlich sind. Diese SMDs bieten die Zuverlässigkeits- und Performance-Vorteile der patentierten SuperGaN^® „d-mode two-switch normally-off“-Plattform von Transphorm in den Gehäusekonfigurationen, die üblicherweise von e-mode GaN-Bauelementen der Mitbewerber verwendet werden. Daher können diese sechs Bauelemente problemlos als erste Designquelle, als Pin-to-Pin-Ersatz und/oder als sekundäre Quelle für e-mode GaN-Lösungen dienen.

Für Stromversorgungssysteme, die zusätzliche thermische Leistung von der SuperGaN-Plattform benötigen, bietet Transphorm auch SMDs in optimierten Performance-Gehäusen an. Alle Transphorm-Bauelemente zeichnen sich unabhängig vom Gehäuse durch einfache Ausführbarkeit und Ansteuerung aus, da in der d-mode-Konfiguration ein Niederspannungs-Silizium-MOSFET zusammen mit einem GaN-HEMT verwendet wird. Diese Plattformkonfiguration ermöglicht auch die Nutzung von Standard-Controllern und/oder -Treibern, was die überragende Ansteuerbarkeit und Designfähigkeit des Transphorm-Portfolios noch weiter verbessert.

„Transphorm produziert weiterhin ein starkes GaN-Bauelemente-Portfolio, das heute das branchenweit breiteste Leistungsspektrum abdeckt. Mit der Veröffentlichung dieser Industriestandard-Gehäuse, die auf das kürzlich angekündigte, gemeinsam mit Weltrend Semiconductors entwickelte SiP folgen, haben wir unsere Niedrigenergie-Strategie gefestigt“, so Philip Zuk, Senior Vice President of Business Development and Marketing, Transphorm. „Kunden haben nun die Wahl, wie sie die Vorteile von SuperGaN nutzen möchten: mittels Performance-Gehäuse, Pin-to-Pin-E-Mode-kompatiblem Industriestandard-Gehäuse oder als System-in-Package.“

Vorteile des SuperGaN-Drop-In-Ersatzes

Der Ersatz von e-mode-Bauelementen durch SuperGaN d-mode-FETs bietet nachweislich eine höhere Performance und eine niedrigere Betriebstemperatur durch geringere Leitungsverluste, was zu einer längeren Lebensdauer und Zuverlässigkeit führt. Dies ist auf die grundsätzliche Überlegenheit des d-mode GaN-Normal-Off-Bauelements gegenüber dem e-mode GaN-Normal-Off-Bauelement zurückzuführen. Ein Beispiel, das diese Daten validiert, ist ein kürzlich durchgeführter direkter Vergleich, bei dem 50 mΩ e-mode durch 72 mΩ SuperGaN-Technologie in einem 280-W-Gaming-Laptop-Ladegerät ersetzt wurde: https://bit.ly/diraztbISP.

Bei der Analyse des Ladegeräts arbeiteten die SuperGaN-FETs bei kühleren Temperaturen im Ausgangsspannungsbereich des Controllers (während beim E-Mode eine Pegelverschiebung erforderlich war). Der Temperaturkoeffizient des SuperGaN-Widerstands (TCR) ist etwa 25 Prozent niedriger als der von e-mode, was zu den geringeren Leitungsverlusten beiträgt. Darüber hinaus wurde die Anzahl der peripheren Komponenten um 20 % reduziert, was auf niedrigere Stücklistenkosten hinausläuft.

SMD-Portfolio gemäß Industriestandard

Nachstehend folgt die Liste der PQFN-Bauteile nach Industriestandard von Transphorm:

Bauteil	RDS(on) mΩ	Gehäuse
TP65H070G4LSGB	72	PQFN88
TP65H150BG4JSG	150	PQFN56
TP65H150G4LSGB	150	PQFN88
TP65H300G4JSGB	240	PQFN56
TP65H300G4LSGB	240	PQFN88
TP65H480G4JSGB	480	PQFN56

Zu den wichtigsten geräteübergreifenden Leistungsmerkmalen zählen:

• JEDEC-qualifiziert
• Dynamische RDS(on)eff-Produktion geprüft
• Marktführende Robustheit mit großen Gate-Sicherheitsspannen und transienten Überspannungsfähigkeiten
• Sehr geringe QRR
• Geringerer Übertragungsverlust

Zielanwendungen

Der 72-mΩ-FET ist optimal für Anwendungen in den Bereichen Datenaustausch, Industrie, PV-Wechselrichter, Servomotoren, Computersysteme sowie in allgemeinen Verbraucheranwendungen geeignet.

Die 150-, 240- und 480-mΩ-FETs sind optimal für den Einsatz in Netzteilen, Low-Power-SMPS, Beleuchtungs- und Low-Power-Verbraucheranwendungen geeignet.

Verfügbarkeit

Alle Industriestandard-Geräte werden derzeit bemustert und können hier angefordert werden: https://www.transphormusa.com/en/products/#sampling.

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Stromwandlungsanwendungen. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte ermöglicht Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine 50 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.

Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

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