-

Kioxia en Western Digital lanceren nieuwste 3D-flashgeheugen

Baanbrekende architectonische innovaties in schaalvergroting en wafer bonding-technologie maken grote sprong in prestaties, dichtheid en kosteneffectiviteit.

TOKIO & SAN JOSE, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Als blijk van voortdurende innovatie hebben Kioxia Corporation en Western Digital Corp. (NASDAQ: WDC) vandaag de details bekendgemaakt van hun nieuwste 3D-flashgeheugentechnologie. Door toepassing van geavanceerde schaal- en wafer bonding-technologieën levert het 3D-flashgeheugen uitzonderlijke capaciteit, prestaties en betrouwbaarheid tegen een aantrekkelijke prijs. Dit maakt het een ideale oplossing voor de behoeften van exponentiële gegevensgroei in een breed scala van marktsegmenten.

"Het nieuwe 3D-flashgeheugen laat de voordelen zien van ons sterke partnerschap met Kioxia en ons gecombineerde innovatieleiderschap", aldus Alper Ilkbahar, Senior Vice President of Technology & Strategy bij Western Digital.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.

Contacts

Kioxia Contact:
Kota Yamaji
Kioxia Public Relations
81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Western Digital Contacts:
Robin Schultz
Western Digital Public Relations
1-408-573-5043
robin.schultz@wdc.com

T. Peter Andrew
Western Digital Investor Relations
1-949-672-9655
peter.andrew@wdc.com

Kioxia Corporation LogoKioxia Corporation Logo

Kioxia Corporation

NASDAQ:WDC


Contacts

Kioxia Contact:
Kota Yamaji
Kioxia Public Relations
81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Western Digital Contacts:
Robin Schultz
Western Digital Public Relations
1-408-573-5043
robin.schultz@wdc.com

T. Peter Andrew
Western Digital Investor Relations
1-949-672-9655
peter.andrew@wdc.com

More News From Kioxia Corporation

Samenvatting: Kioxia ontwikkelt kerntechnologie die de praktische implementatie van high-density, low-power 3D DRAM mogelijk maakt

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, een wereldleider gespecialiseerd in geheugenoplossingen, kondigde vandaag de ontwikkeling aan van sterk stapelbare oxide-halfgeleiderkanaal transistoren die de praktische implementatie van high-density, low-power 3D DRAM mogelijk maken. Deze technologie werd voorgesteld tijdens de IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) die doorging in San Francisco, Verenigde Staten, op 10 december en heeft het potentieel om stroomverbruik te verminderen i...

Samenvatting: Kioxia en Google werken samen om het gebruik van schone energie in Japan te stimuleren

YOKKAICHI, Japan--(BUSINESS WIRE)--Als onderdeel van zijn streven naar een duurzamere toekomst heeft Kioxia Corporation (“Kioxia”) vandaag een samenwerkingsinitiatief met Google LLC (“Google”) aangekondigd om het gebruik van schone elektriciteit uit een waterkrachtrenovatieproject in de Japanse regio Chubu te stimuleren. Dit project, dat eigendom is van de Chubu Electric Power-groep, zal naar verwachting de jaarlijkse productie van schone energie verhogen, bijdragen aan de decarbonisatie van he...

Samenvatting: Kioxia en Sandisk kondigen de start aan van Fab2 in de fabriek in Kitakami, Japan, om te voldoen aan de marktvraag die wordt aangedreven door AI

TOKIO & MILPITAS, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, een dochteronderneming van Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A) en Sandisk Corporation (NASDAQ: SNDK), hebben vandaag de start aangekondigd van Fab2 (K2), een ultramoderne halfgeleiderfabriek in de Kitakami-fabriek in de prefectuur Iwate, Japan. Fab2 heeft de capaciteit om achtste generatie 218-laags 3D-flashgeheugen te produceren, met de revolutionaire CBA-technologie (CMOS directly Bonded to Array) van de bedrijven, en toekom...
Back to Newsroom