-

東芝將透過新生產設施擴大功率半導體產能

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(「東芝」)今天宣布,將在位於日本西部兵庫縣的姬路半導體廠新建功率半導體後端生產設施。新設施將於2024年6月開工興建,計畫於2025年春季投產。該計畫將使東芝姬路廠的汽車功率半導體產能相比2022會計年度增加一倍以上。

功率元件是各種電子設備中用於管理和降低功耗、節約能源的重要組件。最重要的是,隨著汽車電氣化和工業設備自動化的發展,相較於所有其他產品,東芝的重點技術——低壓MOSFET(金屬氧化物半導體場效應電晶體)的市場需求預計將持續成長。東芝已決定透過新建後端設施來滿足這一成長需求。

展望未來,東芝將透過提供高效率、高可靠性的產品來擴大其功率半導體業務並提高競爭力,以滿足快速成長的需求,並為碳中和做出貢獻。

姬路半導體廠概要

地址:

300, Ikaruga, Taishi-cho, Ibo-gun, Hyogo Prefecture, Japan

成立時間:

1982年4月

總經理:

Noriyasu Kurihara

員工:

約1,400人(截至2022年4月)

主要產品:

離散半導體(功率半導體和小型訊號元件)

*公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
*本新聞稿中的產品價格和規格、服務內容和聯絡方式等資訊,在發布之日為最新資訊。之後如有變更,恕不另行通知。

關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社

東芝電子元件及儲存裝置株式會社是先進半導體和儲存解決方案的領導廠商,憑藉半個多世紀的經驗和創新,為客戶和商業夥伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD產品。
公司在全球各地的2.3萬名員工同心同德,竭力實現公司產品價值的最大化,同時重視與客戶的密切合作,促進價值和新市場的共同創造。東芝電子元件及儲存裝置株式會社期待在目前超過8,500億日圓(75億美元)的年度銷售額基礎上再接再厲,為全人類創造更加美好的未來。
如需瞭解更多資訊,請造訪:https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

客戶詢問:
聯絡我們

媒體詢問:
K.Tanaka, S.Mihashi
企業傳播與市場情報組
策略規劃部
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
電話:+81-44-548-2122
電子郵件:tdsc-publicrelations@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

客戶詢問:
聯絡我們

媒體詢問:
K.Tanaka, S.Mihashi
企業傳播與市場情報組
策略規劃部
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
電話:+81-44-548-2122
電子郵件:tdsc-publicrelations@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba推出最高工作溫度達125°C的工業設備用四通道高速標準數位隔離器

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了DCL54xx01A系列工業設備用四通道高速標準數位隔離器,進一步擴充其數位隔離器產品陣容。該系列包含10款新產品,均採用SOIC16-W封裝,最高工作溫度可達125°C。批量出貨自即日起開始。 碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)功率元件的廣泛應用,使得設計可在高溫條件下運行的工業設備成為可能。然而,在隔離訊號傳輸中,輸入和輸出之間的電磁雜訊可能會導致故障,這使得市場對能實現穩定控制訊號傳輸、同時兼具高抗噪性與高可靠性的隔離元件的需求與日俱增。 Toshiba新型數位隔離器支援高達125°C的最高工作溫度。歸功於公司專有的磁耦合隔離傳輸技術[1],該系列產品還實現了高達150kV/μs(典型值)[2]的高共模暫態耐受性(CMTI),從而協助設備穩定運行。 新產品提供多種通道設定:4個正向通道和0個反向通道;3個正向通道和1個反向通道;以及2個正向通道和2個反向通道。這種靈活性使其能夠廣泛...

Toshiba開始出貨TXZ+™系列入門級M4H組標準微控制器工程樣品,搭載用於系統控制應用的Arm® Cortex®-M4內核

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)宣布推出TXZ+™系列入門級M4H組標準微控制器[1],這些微控制器搭載帶有浮點運算器(FPU)的Arm® Cortex®-M4內核。全新微控制器專為消費產品(如冷氣機、洗衣機)以及工業設備(包括多功能事務機、工廠自動化系統)的小型系統控制應用而設計。Toshiba目前已開始提供這些新產品的工程樣品。 隨著現代消費產品和工業設備變得日益先進和多樣化,用於系統控制的微控制器必須具備更強的即時處理能力與穩定性,支援簡便的設計流程,提供長期運行所需的通用性,並具備足夠的靈活性以支援衍生產品的開發。Toshiba已透過開發專為系統控制應用而設計的TXZ+™系列入門級M4H組微控制器來因應這些挑戰,尤其注重其通用性。 這些全新微控制器被設計為入門級產品,可提供一系列基本功能。它們採用帶有FPU的Arm® Cortex®-M4內核,最高工作頻率達120MHz——這正是消費產品和工業設備所需的運算效能與回應...

提升次世代 AI 資料中心效率 Toshiba 開始出貨 1200 V 溝槽式閘極 SiC MOSFET 測試樣品

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下簡稱 Toshiba)今日開始出貨「TW007D120E」測試樣品,此 1200 V 溝槽式閘極 SiC MOSFET 主要用於次世代 AI 資料中心的電源供應系統,亦適用於再生能源相關設備。 隨著生成式 AI 快速擴張,耗電量遽增已成為資料中心迫在眉睫的課題。尤其是高功率 AI 伺服器的廣泛採用,以及 800 V 高壓直流 (HVDC) 架構部署日益增加,正全面推升市場對高電源轉換效率與高功率密度電源供應系統的需求。Toshiba 研發出 TW007D120E 以因應次世代 AI 資料中心需求,將有助於降低耗電量,並推動電源供應系統實現小型化與高效化。 TW007D120E 採用 Toshiba 獨家溝槽式閘極結構 [1],達到業界領先 [2] 的低單位面積導通電阻 (RDS (on)) A);透過更低的導通電阻減少導通損耗,同時降低切換損耗。與 Toshiba 現有產品相比,TW007D120E 的 RDS...
Back to Newsroom