-

東芝將透過新生產設施擴大功率半導體產能

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(「東芝」)今天宣布,將在位於日本西部兵庫縣的姬路半導體廠新建功率半導體後端生產設施。新設施將於2024年6月開工興建,計畫於2025年春季投產。該計畫將使東芝姬路廠的汽車功率半導體產能相比2022會計年度增加一倍以上。

功率元件是各種電子設備中用於管理和降低功耗、節約能源的重要組件。最重要的是,隨著汽車電氣化和工業設備自動化的發展,相較於所有其他產品,東芝的重點技術——低壓MOSFET(金屬氧化物半導體場效應電晶體)的市場需求預計將持續成長。東芝已決定透過新建後端設施來滿足這一成長需求。

展望未來,東芝將透過提供高效率、高可靠性的產品來擴大其功率半導體業務並提高競爭力,以滿足快速成長的需求,並為碳中和做出貢獻。

姬路半導體廠概要

地址:

300, Ikaruga, Taishi-cho, Ibo-gun, Hyogo Prefecture, Japan

成立時間:

1982年4月

總經理:

Noriyasu Kurihara

員工:

約1,400人(截至2022年4月)

主要產品:

離散半導體(功率半導體和小型訊號元件)

*公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
*本新聞稿中的產品價格和規格、服務內容和聯絡方式等資訊,在發布之日為最新資訊。之後如有變更,恕不另行通知。

關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社

東芝電子元件及儲存裝置株式會社是先進半導體和儲存解決方案的領導廠商,憑藉半個多世紀的經驗和創新,為客戶和商業夥伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD產品。
公司在全球各地的2.3萬名員工同心同德,竭力實現公司產品價值的最大化,同時重視與客戶的密切合作,促進價值和新市場的共同創造。東芝電子元件及儲存裝置株式會社期待在目前超過8,500億日圓(75億美元)的年度銷售額基礎上再接再厲,為全人類創造更加美好的未來。
如需瞭解更多資訊,請造訪:https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

客戶詢問:
聯絡我們

媒體詢問:
K.Tanaka, S.Mihashi
企業傳播與市場情報組
策略規劃部
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
電話:+81-44-548-2122
電子郵件:tdsc-publicrelations@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

客戶詢問:
聯絡我們

媒體詢問:
K.Tanaka, S.Mihashi
企業傳播與市場情報組
策略規劃部
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
電話:+81-44-548-2122
電子郵件:tdsc-publicrelations@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba擴充四通道標準數位隔離器產品線,將協助降低工業裝置功耗

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")擴充了其DCL34xx0B系列工業裝置用四通道標準數位隔離器,新增四款產品。該系列的所有產品均具備每通道0.2mA(典型值)的低電流消耗[1],採用小型SSOP16封裝,並支援中速通訊[2]。 這四款新產品包括:設定為四個正向通道和零個反向通道的「DCL340L0B」和「DCL340H0B」,以及設定為兩個正向通道和兩個反向通道的「DCL342L0B」和「DCL342H0B」。 在可程式化邏輯控制器(PLC)、執行器和逆變器等工業裝置中,防止裝置故障、異常傳播以及雜訊引起的故障至關重要,而雜訊會隨著裝置運行速度的提高而增大。這些問題均透過電氣隔離來解決,即在不同電位(如高壓與低壓)的電路之間傳輸訊號,從而推動了對能在雜訊環境中保持穩定運行的安全、高可靠性隔離元件的需求。除了卓越的可靠性外,隨著裝置日益精簡,隔離元件也比以往任何時候都更需要具備更小的尺寸和更長的使用壽命。 此外,降低整體系統功耗...

Toshiba推出80V N型通道功率MOSFET,採用最新一代製程以提升AI資料中心效率

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (「Toshiba」)已推出TPM1R408RH,這是一款80V N型通道功率MOSFET,採用U-MOS11-H製程製造,該製程為Toshiba最新一代技術[1]。該MOSFET主要針對AI資料中心及通訊基地台所使用的工業設備開關式電源供應器等應用領域。產品即日起開始出貨。 隨著AI處理需求持續成長,資料中心的電力需求同步增加,而通訊基礎設施的進步進一步推動對開關式電源供應器提出更高要求,包括更高效率、更小體積(更高功率密度)以及更低電磁干擾(EMI)。由於功率損耗會直接影響系統耗電量、熱能產生與散熱負載,因此導入合適特性的功率半導體至關重要,這些特性需能在導通損耗與開關損耗之間取得平衡式降低,同時有助於整體系統最佳化,包括提升EMI抑制能力、散熱設計以及安裝便利性。 TPM1R408RH採用最佳化的元件結構,實現汲源導通電阻1.4mΩ(最大值)[2]相較於「TPM1R908QM」(Toshiba上一代U-MOS...

Toshiba推出最高工作溫度達125°C的工業設備用四通道高速標準數位隔離器

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了DCL54xx01A系列工業設備用四通道高速標準數位隔離器,進一步擴充其數位隔離器產品陣容。該系列包含10款新產品,均採用SOIC16-W封裝,最高工作溫度可達125°C。批量出貨自即日起開始。 碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)功率元件的廣泛應用,使得設計可在高溫條件下運行的工業設備成為可能。然而,在隔離訊號傳輸中,輸入和輸出之間的電磁雜訊可能會導致故障,這使得市場對能實現穩定控制訊號傳輸、同時兼具高抗噪性與高可靠性的隔離元件的需求與日俱增。 Toshiba新型數位隔離器支援高達125°C的最高工作溫度。歸功於公司專有的磁耦合隔離傳輸技術[1],該系列產品還實現了高達150kV/μs(典型值)[2]的高共模暫態耐受性(CMTI),從而協助設備穩定運行。 新產品提供多種通道設定:4個正向通道和0個反向通道;3個正向通道和1個反向通道;以及2個正向通道和2個反向通道。這種靈活性使其能夠廣泛...
Back to Newsroom