Transphorm veröffentlicht neue, jetzt auch in Leistungsstufen unterteilte GaN-FET-Zuverlässigkeitswerte

Die Hochspannungs-GaN-Bauelemente des Unternehmens bieten weiterhin über das gesamte Leistungsspektrum hinweg branchenführende Zuverlässigkeit in Anwendungen

GOLETA (Kalifornien/USA)--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) – ein Pionierunternehmen und weltweiter Anbieter von hochzuverlässigen und leistungsstarken GaN-Energieumwandlungsprodukten (Galliumnitrid) – gab heute die neuesten Zuverlässigkeitsbewertungen für seine GaN-Leistungs-FETs bekannt. Die Zuverlässigkeit wird anhand der Ausfallrate „Failures in Time“ (FIT, Ausfälle pro Zeiteinheit) gemessen. Bei dieser Analyse wird die Zahl von Bauelementausfällen berücksichtigt, die die Kunden bei Anwendungen in der Praxis melden. Bislang hat das gesamte Produktportfolio des Unternehmens eine durchschnittliche FIT-Ausfallrate von < 0,1 erreicht, die auf mehr als 85 Milliarden Betriebsstunden im Feld basiert. Dies ist branchenweit die beste und bislang einzige gemeldete Zuverlässigkeitsbewertung eines breiten Leistungsspektrums für heute verfügbare GaN-Leistungselektroniklösungen.

Transphorm hat bei der Entwicklung seiner GaN-Plattform die Zuverlässigkeit im Blick. Als die Wide-Bandgap-Technologie auf den Markt kam, wusste man bei Transphorm um ihre große Bedeutung: Obwohl GaN eine höhere Leistung als Silizium-Transistoren bietet, wollten die Kunden nicht auf die damals neue Technologie umsteigen, aus Furcht, die Bauelemente könnten im Praxiseinsatz versagen. Im Jahr 2019 war Transphorm der erste GaN-Hersteller, der einen kompletten Validierungsdatensatz zur Untermauerung der zugesagten Zuverlässigkeit veröffentlichte. Seither gibt das Unternehmen regelmäßig seine GaN-Zuverlässigkeitsergebnisse bekannt, um potenzielle Kunden dabei zu unterstützen, bei der Auswahl von Halbleiterlieferanten fundierte Entscheidungen zu treffen. Transphorm meldete zuletzt im 1. Quartal 2022 eine Ausfallrate von < 0,3.

Dieses Jahr geht Transphorm einen weiteren Schritt, um die Art und Weise zu ändern, wie Kunden GaN-FET-Optionen bewerten. Das Unternehmen hat seine Zuverlässigkeitsdaten in zwei Kategorien unterteilt:

• Niedrige Leistung: GaN-Bauelemente, die in Anwendungen mit einer Leistung ≤ 500 W eingesetzt werden
• Hohe Leistung: GaN-Bauelemente, die in Anwendungen mit einer Leistung > 500 W eingesetzt werden

Betrachtet man die Leistung der Bauelemente nach Leistungskategorie, so ergeben sich für die GaN-FETs von Transphorm die folgenden Zuverlässigkeitsbewertungen, die denen von Silizium-Bauelementen bemerkenswert ähneln:

• Niedrige Leistung: 0,06 FIT
• Hohe Leistung: 0,19 FIT

„Unsere Hochspannungs-GaN-Bauelemente sind für eine Vielzahl von Anwendungen ausgelegt und decken das breiteste Leistungsspektrum ab, das heute bei 45 W bis 4 kW liegt. Sie haben das Potenzial, 10 kW oder mehr zu erreichen, wenn GaN in neue Märkte eingeführt wird. Dies beweist die außerordentliche Vielseitigkeit unserer Technologie“, so Philip Zuk, Senior Vice President des Bereichs Business Development and Marketing von Transphorm. „Wir haben jedoch festgestellt, dass die Angabe einer einzigen Zuverlässigkeitsbewertung, die alle Anwendungsarten in einen Topf wirft, für die Kunden nicht sehr nützlich ist. Wir hielten es für notwendig, ihnen differenziertere Daten zur Verfügung zu stellen, die besser auf ihre konstruktiven Anforderungen zugeschnitten sind. Daher erfolgte die Unterteilung in niedrige und hohe Leistung.“

Branchenübergreifende Führungsposition

Dank der Qualität und Zuverlässigkeit der Bauteile von Transphorm ist das Unternehmen nach wie vor ein führender Anbieter von Hochspannungs-GaN-Bauelementen. Das Unternehmen beliefert eine Vielzahl von Endmarktbereichen, wie z. B. Adapter, PC-Computer, Blockchain, Rechenzentren, erneuerbare Energien und Stromspeicher.

Weitere Informationen darüber, was die SuperGaN-Technologie auszeichnet, finden Sie unter: http://bit.ly/38HHGF7.

Über Transphorm

Transphorm, Inc. ist ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution. Es entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiterbauteile für Hochspannungsstromwandleranwendungen. Transphorm verfügt mit mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten über eines der größten IP-Portfolios im Bereich der GaN-Leistungselektronik und produziert die branchenweit ersten von JEDEC und gemäß AEC-Q101 zertifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das vertikal integrierte Geschäftsmodell des Unternehmens ermöglicht Innovationen in jeder Entwicklungsphase: Konzeption, Fertigung, Bauelemente- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm führen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und ermöglichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine um 40 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta (Kalifornien/USA) und verfügt über Produktionsstätten in Goleta sowie in Aizu (Japan). Weitere Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.

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