-

Kioxia présente une technique de verrouillage tenant compte des faux verrous pour les émetteurs-récepteurs PAM4 à 56 Gb/s à l'ESSCIRC 2022

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, le leader mondial des solutions de mémoire, a annoncé la mise au point d’une technique de verrouillage tenant compte des faux verrous pour les émetteurs-récepteurs PAM4 à 56 Gb/s lors de l'ESSCIRC 2022 (Conférence européenne sur les circuits à semi-conducteurs de l’IEEE), le 22 septembre.

Dernièrement, l’une des méthodes de modulation multiniveau PAM4 a été adoptée à la place de la méthode conventionnelle NRZ pour les infrastructures de réseau offrant une vitesse et une capacité de transmission plus élevées, notamment celles des centres de données. Cependant, lors de l'application de la norme PAM4, la récupération d'horloge peut parfois échouer et, par conséquent, les performances des récepteurs peuvent être gravement dégradées en raison de signaux d'horloge incorrects.

Afin de relever ce défi technique, Kioxia a mis au point une technique de verrouillage tenant compte des faux verrous pour remédier à l’échec de la récupération d’horloge. Kioxia appliquera cette technique de verrouillage tenant compte des faux verrous aux modules de mémoire de grande capacité et à large bande passante pour les serveurs MEC (mobile edge computing).

Ce développement est basé sur un projet financé par l’Organisation pour le développement des énergies nouvelles et des technologies industrielles (NEDO).

Pour obtenir de plus amples renseignements, veuillez consulter l'URL suivante :
https://www.kioxia.com/en-jp/about/news/2022/20221004-1.html

* Tous les noms de sociétés, de produits et de services peuvent être des marques commerciales de leurs sociétés respectives.

À propos de Kioxia

Kioxia est un leader mondial des solutions de mémoire, consacré au développement, à la production et à la vente de mémoires flash et de disques durs à semi-conducteurs (solid-state drives, SSD). En avril 2017, son prédécesseur Toshiba Memory s’est séparé de Toshiba Corporation, la société qui a inventé la mémoire flash NAND en 1987. En matière de mémoire, Kioxia vise à édifier le monde en proposant des produits, services et systèmes qui offrent davantage de choix pour les clients et créent plus de valeur basée sur la mémoire, pour la société. La technologie de mémoire flash 3D innovante de Kioxia, BiCS FLASH™, façonne l’avenir du stockage à haute densité dans les applications, comme les centres de données, les disques à semi-conducteurs (solid-state drive, SSD), les ordinateurs individuels (Personal Computer, PC), les produits automobiles et les smartphones les plus sophistiqués du marché.

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

Contacts

Kota Yamaji
Relations publiques
Kioxia Holdings Corporation
81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Kioxia Corporation



Contacts

Kota Yamaji
Relations publiques
Kioxia Holdings Corporation
81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

More News From Kioxia Corporation

Kioxia et SanDisk s’apprêtent à investir plus de 31 milliards de dollars au Japon, renforçant ainsi leur position de leaders dans le secteur des mémoires

TOKYO et MILPITAS, Californie--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, une filiale de Kioxia Holdings Corporation (TOKYO : 285A), et SanDisk Corporation (NASDAQ : SNDK) ont annoncé aujourd’hui d’importants investissements au Japon, pour un montant total de plus de 31 milliards de dollars (environ 5 000 milliards de yens), sous réserve de l’obtention d’un soutien gouvernemental. Ces investissements, qui s’étaleront jusqu’en 2032, vont permettre de continuer à renforcer le partenariat entre Kioxia e...

Kioxia va augmenter sa capacité de production de mémoires flash 3D grâce à la nouvelle usine Fab3 de son site de Kitakami

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, leader mondial des solutions de mémoire, a annoncé aujourd’hui avoir entamé les travaux de préparation du site et autres activités connexes en vue de la construction de Fab3, une nouvelle usine de fabrication à la pointe de la technologie située sur le site de Kitakami, dans la préfecture d’Iwate, au Japon, afin d’augmenter la capacité de production de la mémoire flash tridimensionnelle de pointe BiCS FLASH™. Fab3 sera construite sur un terrain situé...

La nouvelle technologie de mémoire flash 3D de Kioxia et Sandisk atteint la plus haute densité de bits du secteur pour NAND QLC

SANTA CLARA, Californie--(BUSINESS WIRE)--Conférence Future of Memory and Storage (FMS) : Kioxia Corporation, une filiale de Kioxia Holdings Corporation (TOKYO : 285A) et de Sandisk Corporation (Nasdaq : SNDK), a présenté aujourd'hui sa technologie de mémoire flash 3D Quad-Level-Cell (QLC) de nouvelle génération. Cette mémoire offre une augmentation de la densité de bits de 60 % par rapport à sa 8e génération, dépassant 37 Gb/mm² et établissant la norme de référence en matière1 de densité de bi...
Back to Newsroom