Transphorm贏得美國能源部先進能源研究計畫署的合約，提供具有雙向電流和電壓控制功能的新型四象限氮化鎵開關

氮化鎵先鋒企業Transphorm探索下一代電源轉換技術，可用單個Transphorm 四象限開關取代多個矽元件

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布，公司已贏得一份美國能源部先進能源研究計畫署(ARPA-E)的合約。該專案是ARPA-E CIRCUITS計畫的一部分，透過與伊利諾理工學院的轉包合約展開，包括提供採用氮化鎵的四象限開關(FQS)。這些開關可用於多種電源轉換應用，如電流源逆變器、驅動器和微型逆變器中的環形轉換器、矩陣開關和固態斷路器等新型應用。此項計畫的推展歸功於Transphorm深厚的氮化鎵工程專業知識（特別是其雙向氮化鎵產品），以及工業界和大學對進一步探索橫向氮化鎵開關應用可能性的興趣。

Transphorm將對採用其650V氮化鎵技術的FQS平臺進行原型設計，在4引腳TO-247封裝中繼續提供業界最高的閾值電壓(4 V)。此專案預計將在一年內完成。

真正雙向氮化鎵開關創新的重要意義

Transphorm的標準橫向氮化鎵場效電晶體(FET)元件本身即可提供雙向電流。然而，某些應用（如馬達驅動的電流源逆變器、環形轉換器和矩陣轉換器）還需要雙向電壓控制，以有效管理功率流。這種功能的傳統實現方法是放置兩個串聯的FET，使用元件的主體二極體來引導和控制電流流動，或需要兩個絕緣閘雙極電晶體(IGBT)和兩個二極體，因此需要四個元件。

FQS也被稱為真正的雙向開關，它採用一個能夠實現雙向電壓控制和雙向電流流動的單一元件來取代兩個FET或兩個IGBT+兩個二極體的方法。FQS使用兩個閘極來阻止任何極性的電壓或通過任何方向的電流。而且，作為單一元件，FQS能減少實現預期效果所需的組件數量，從而實現更高的功率密度，提高可靠性，並降低整體系統成本。

威斯康辛大學麥迪遜分校名譽教授、美國國家工程學院(NAE)和美國電機電子工程師學會(FIEEE)院士Tom Jahns表示：「看到採用氮化鎵的雙向開關距離商業化量產越來越近，非常令人振奮。電力電子工程師們一直焦急地期待著MOS閘極雙向開關產品上市，因為它們是實現具有廣闊前景的電源轉換器拓撲結構的關鍵元件，可以在提高許多應用的效率、功率密度和容錯能力方面帶來令人振奮的機會。它們還有望大幅提高多種新型產品的商業可行性，包括固態斷路器和整合式馬達驅動器，與目前使用的矽基開關相比，FQS可使這些產品更加緊湊和高效。」

Transphorm技術研究員Rakesh Lal博士表示：「根據如今氮化鎵元件的採用情況，FQS雙向元件上市的時機已經成熟。因為電壓阻斷區可以共用，橫向氮化鎵技術能夠製造出緊湊的FQS晶片，這是使用矽或碳化矽的垂直功率元件技術無法實現的，從而讓氮化鎵FQS在性能和成本方面都具有明顯優勢。透過我們的FQS，用戶可以用單一快速低損耗開關來獲得真正的雙向性。我們相信，由CIRCUITS計畫驅動的合作夥伴關係將激勵下一代電源轉換產品的出現。」

關於Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式，Transphorm能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa和WeChat @Transphorm_GaN上掌握我們的最新動態。

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