Transphorm的表面黏著封裝產品系列增加產業標準TO-263 (D2PAK)封裝產品，擴大SuperGaN平臺的優勢

新型50mOhm SuperGaN場效應電晶體簡化並加快採用氮化鎵的高功率系統的開發，適用於資料中心和廣泛工業應用

加州戈拉塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布，新增的TP65H050G4BS元件擴充了其表面黏著封裝產品系列。這款全新高功率表面黏著元件 (SMD)是一款採用TO-263 (D2PAK)封裝的650V SuperGaN®場效應電晶體(FET)，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應用的PQFN元件。

TP65H050G4BS通過了JEDEC認證，為設計者和製造商提供了多項優勢，賦能他們開發通常用於資料中心和廣泛工業應用的高功率（數瓩到幾瓩）系統。它具有Transphorm一流的可靠性、閘極穩健性(±20 Vmax)和抗矽雜訊閾值(4V)，以及氮化鎵技術所具備的易設計性和驅動性能。工程師們需要使用較大的D2PAK來滿足更高的功率和表面黏著封裝需求。與PQFN封裝相比，D2PAK可以實現更好的熱性能，同時幫助使用者透過單一的製造流程提高PCB組裝效率。

D2PAK可作為分離式元件提供，也可配套垂直子卡，以提高Transphorm的2.5kW AC-DC無橋圖騰柱功率因素校正(PFC)評估板TDTTP2500B066B-KIT的功率密度。它還可以切換至1.2kW同步半橋TDHBG1200DC100-KIT評估板，以驅動多瓩功率。

Transphorm全球行銷、應用和業務發展資深副總裁Philip Zuk表示：「D2PAK是對我們產品組合的一個重要補充。它將我們的SMD產品的可用性拓展至高功率領域，而之前我們用通孔元件支援這些應用。客戶可獲得我們氮化鎵平臺的多項優勢，如熟悉的TO-XXX封裝消除了設計挑戰、簡化了系統開發並加快了產品上市速度。」

Transphorm是當前提供標準TO-XXX封裝的高壓氮化鎵元件的唯一氮化鎵供應商。值得注意的是，鑒於其固有的閘極損壞敏感性，這些封裝產品不支援替代性的增強型氮化鎵技術。

產品供應

上述元件和評估板可透過下述連結在Digi-Key和Mouser上購買：

• TP65H050G4BS FET：Digi-Key / Mouser
• 2.5 kW評估板(TDTTP2500B066B-KIT)：Digi-Key / Mouser
• 1.2 kW 評估板 (TDHBG1200DC100-KIT)：Digi-Key / Mouser

關於Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式，Transphorm能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa和WeChat @Transphorm_GaN上關注我們。

SuperGaN標記是Transphorm的註冊商標。所有其他商標是其各自所有者的財產。

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