-

Transphorm和TDK-Lambda宣布扩充AC-DC氮化镓电源模块系列

  • 12V和48V 500 W PSU分别是TDK高效率PFH系列中的第二款和第三款产品
  • GaN器件的功率密度比硅基解决方案提高38%

加州戈拉塔--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商。该公司今天证实,领先的电源制造商、TDK旗下集团公司TDK-Lambda已扩充其基于GaN的PFH500F产品线。PFH500F-12和PFH500F-48是TDK的500瓦交流转直流(AC-DC)电源系列产品中的第二个和第三个模块,分别提供12V和48V输出电压。与上一代基于GaN的28V PFH500F-28一样,这两款最新电源产品为终端应用带来GaN所具有的各种优势,包括器件封装尺寸缩小13%,效率提升6%等。与TDK-Lambda现有12V和48V硅基模块PFE500SA-12和PFE500SA-48相比,这些优势的叠加使功率密度提高了38%。

PFH500F系列采用了Transphorm的72mΩ、8x8功率四方扁平无引脚封装氮化镓场效应晶体管(PQFN GaN FET) (TP65H070LDG)。这些功率晶体管的高功率密度使TDK能够通过薄基板冷却GaN电源。这种优势也让TDK能够生产出更精简、更紧密的电源模块,可支持在恶劣环境中运行的各种广泛的工业应用。此类应用包括商用现货(COTS)电源、定制无风扇电源、5G通信、激光、数字化标牌/显示器、信令等等。

12V和48V PFH500F模块由TDK-Lambda Americas德州达拉斯团队设计,均部署了图腾柱无桥功率因数校正(PFC)配置。旗舰28V GaN电源的设计花费了大约三年多时间,随后TDK的工程团队在原有基础上进行了修改,并在一年内推出了这两款最新型号。

TDK-Lambda Americas工程副总裁Jin He表示:“在仔细考虑了客户的愿望和需求之后,TDK决定推出基于GaN的PFH500F产品线。此外,我们的客户需要的是可靠的电源系统,能够用于故障代价很高的稳固应用。依托Transphorm的GaN产品,我们有信心在日益小型化且性能要求更高的电源供应器(PSU)中实现这一目标,并激发终端系统的创新。”

与硅基PFE500SA-12和PFE500SA-48相比,TDK-Lambda的PFH500F-12和PFH500F-48电源模块具有以下优势:

  • 电源效率:92%,提高6%
  • 功率密度:> 100W/in^3,增加38%
  • PMBus™监控和编程(读/写)
  • 电路板尺寸减小:从116.8 x 61 (mm)到101.6 x 61 (mm),缩小13%
  • 更小的外部电容元件尺寸

展会

PFH500F系列模块将在2022年美国国际电力电子应用展览会(APEC 2022)上的825号Transphorm展台展出,展会将于本月晚些时候在德州休斯敦举行。

关于TDK株式会社

TDK株式会社是智慧社会电子解决方案的全球领导者,总部位于日本东京。TDK以掌握材料科学为根基,坚定地走在技术发展的前沿,致力于“科技吸引未来”(Attracting Tomorrow),从容迎接社会变革。公司成立于1935年,主营铁氧体,是一种用于电子和磁性产品的关键材料。TDK的主力创新型产品包括陶瓷电容器、铝电解电容器、薄膜电容器、磁性产品、高频元件、压电和保护器件、以及传感器和传感器系统(如:温度和压力、磁性和MEMS传感器)等各类被动元器件。此外,TDK还提供电源和能源装置、磁头等产品。产品品牌包括TDK、爱普科斯(EPCOS)、InvenSense、Micronas、Tronics以及TDK-Lambda。TDK专注于具有迫切需求的市场,如汽车、工业和消费电子,以及信息和通信技术领域。公司在亚洲、欧洲、北美洲和南美洲拥有设计、制造和销售办事处网络。2021财年,TDK的销售总额约为133亿美元,全球雇员12.9万人。

关于TDK-Lambda Corporation

TDK-Lambda Corporation是一家值得信赖的创新型领导企业和全球供应商,为全球工业和医疗设备提供高度可靠的电源转换产品。TDK-Lambda Corporation在五大地理区域(日本,欧洲、中东和非洲,美洲,中国和东盟)设有研发、制造、销售和服务运营网点,致力于快速响应任何客户需求。

更多详情请访问www.jp.lambda.tdk.com/en/

关于Transphorm, Inc.

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者,致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000多项,在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,Transphorm能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子设备突破硅的局限性,以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息,请访问www.transphormusa.com。欢迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上关注我们。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com

Transphorm, Inc.

NASDAQ:TGAN


Contacts

Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com

More News From Transphorm, Inc.

Transphorm展示面向电动出行和能源/工业市场的双向SuperGaN电源的全新参考设计

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 坚固耐用的氮化镓功率半导体领域的全球领导者Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布推出一款用于两轮和三轮电动汽车电池充电器的全新300 W DC/DC氮化镓参考设计。该TDDCDC-TPH-IN-BI-LLC-300W-RD设计采用TP65H150G4PS 150 mOhm SuperGaN® FET以及稳固的TO-220封装,为高性能、高效率的能量采集和分配电池充电系统供电。新电路板显著展示了氮化镓电源最令人期待的价值主张之一:双向性。这一功能表明,单个电源系统可根据系统需要,从输入(交流)到输出(直流)和从输出(直流)到输入(交流)双向供电,而氮化镓可实现这两种转换的能效。 Transphorm总裁兼首席执行官Primit Parikh表示:“图腾柱无桥功率因数校正电路的高效运行实现了氮化镓在大功率应用中的第一个价值主张。这随后带来了各种拓扑结构的新一级优势,包括从30 W到超过10 kW的整个功率转换频谱中的整体更小、成本更低的电源系统。Transphorm氮化镓在更高功率应用领域...

Transphorm的SuperGaN亮相PCIM 2024展会:在大功率系统中超越碳化硅和增强型氮化镓的能力

加利福尼亚州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布,将在2024德国纽伦堡电力电子系统及元器件展览会(PCIM 2024)上展示其超越竞争对手的宽带隙技术。例如,与碳化硅相比,Transphorm的常闭耗尽型SuperGaN®平台具有更高的电子迁移率,从而降低了交叉损耗,为各种电动车、数据中心/人工智能、基础设施、可再生能源和其他广泛的工业应用提供了更具成本效益、性能更高的解决方案。如需了解更多信息,可在2024年6月11至13日的PCIM展会期间,莅临Transphorm位于7号展厅108展位进行面对面交流 。 Transphorm SuperGaN场效应晶体管正投产于广泛的客户产品,这些产品的功率范围涵盖从低功率的45瓦电源适配器到高功率的7.5千瓦电源装置。其中许多客户产品是首批公开认可的基于氮化镓的同类系统,展示了SuperGaN平台独有的优势。例如,如前所述的用于关键任务数据中心/区块链应用的7.5千瓦液冷电源、功率密度大于82瓦/立方...

Transphorm与伟诠电子合作推出新款集成型SiP氮化镓器件

美国加利福尼亚州戈莱塔,台湾新竹--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(纳斯达克:TGAN)与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.(伟诠电子,TWSE:2436)今日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件(SiP),与去年推出的伟诠电子旗舰氮化镓 SiP 一起,组成首个基于 Transphorm SuperGaN® 平台的系统级封装氮化镓产品系列。 新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了伟诠电子的高频多模(准谐振/谷底开关)反激式PWM控制器和Transphorm的150毫欧和480毫欧SuperGaN FET。与上一款240毫欧器件(WT7162RHUG24A)相同,两款新的器件与USB PD或可编程电源适配器控制器配对即可提供整体适配器解决方案。值得注意的是,它们还可提供更多创新功能,包括UHV谷底跟踪充电模式、自适应OCP补偿和自适应绿色模式控制等,使客户能够使用更少的器...
Back to Newsroom