-

鎧俠率先推出支援MIPI M-PHY v5.0的新一代UFS嵌入式快閃記憶體元件

新元件為行動應用程式帶來效能提升

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--儲存解決方案的全球領導者鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)今天宣布提供業界首款[2]支援MIPI M-PHY[4] v5.0的通用快閃記憶體[3](UFS)嵌入式快閃記憶體元件的樣品[1]。新產品系列採用該公司的BiCS FLASH™ 3D快閃記憶體,將提供三種容量:128GB、256GB和512GB。憑藉高速讀寫效能,新元件可用於尖端智慧手機等各類行動應用程式。

新元件是支援MIPI M-PHY v5.0的新一代UFS,在HS-GEAR5模式下,理論介面速度高達每通道23.2Gbps(2個通道 = 46.4Gpbs)。與上一代元件相比,256GB元件的循序讀取和寫入效能分別提高了大約90%和70%[5]。此外,與上一代元件相比,256GB元件的隨機讀取和寫入效能分別提高了大約35%和60%[5]。新一代UFS顯著提高了效能,使新一代智慧手機和其他產品能夠在5G時代及以後增強其功能和提升終端使用者體驗。


[1] 256GB元件的樣品將於2月25日開始出貨,該系列的其餘產品將於8月開始逐步出貨。樣品規格可能與商用產品有所不同。
[2] 鎧俠株式會社調查,截至2022年2月24日。
[3] 通用快閃記憶體(UFS)是根據JEDEC UFS標準規範建構的嵌入式儲存產品類別。由於其採用序列介面,UFS可支援全雙工模式,這使得主機處理器和UFS元件之間可同時進行讀寫。
[4] 針對M-PHY的MIPI聯盟規範
[5] 鎧俠株式會社的上一代256GB元件THGJFGT1E45BAIP

讀寫速度是鎧俠株式會社在特定測試環境中獲得的最佳值,鎧俠株式會社不保證單一元件的讀寫速度。讀寫速度可能會因使用的元件和讀取或寫入的檔案大小而異。

每次提及鎧俠產品時:產品密度是根據產品內的記憶體晶片密度來確定的,而不是終端使用者可用於資料儲存的記憶體容量。消費者可使用的容量會因額外負荷資料區域(overhead data areas)、格式化、瑕疵區塊和其他限制而變少,而且也可能因主機設備和應用程式而變化。如需瞭解詳情,請參考適用的產品規格。根據定義,1KB = 2^10位元組 = 1,024位元組;1Gb = 2^30位元 = 1,073,741,824位元;1GB = 2^30位元組 = 1,073,741,824位元組;1Tb = 2^40位元 = 1,099,511,627,776位元。

本新聞稿提及的所有公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

關於鎧俠
鎧俠是全球記憶體解決方案領導者,致力於開發、生產和銷售快閃記憶體及固態硬碟(SSD)。東芝公司於1987年發明了NAND快閃記憶體,2017年4月,鎧俠前身東芝記憶體集團從東芝公司分割出來。鎧俠致力於透過提供產品、服務和系統,為客戶提供選擇,為社會創造記憶體價值,從而用「記憶體」提升世界。鎧俠創新的3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™正在塑造諸多高容量應用的未來儲存方式,其中包括高階智慧手機、PC、SSD、汽車和資料中心等。

客戶詢問:
鎧俠株式會社
記憶體銷售與行銷部
電話:+81-3-6478-2423
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

*本新聞稿中的資訊,包括產品價格和規格、服務內容以及聯絡資訊,截至本新聞稿發布之日均是正確的,如有變動,恕不另行通知。

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒體諮詢:
鎧俠株式會社
銷售策略規劃部
Koji Takahata
電話:+81-3-6478-2404

Kioxia Corporation



Contacts

媒體諮詢:
鎧俠株式會社
銷售策略規劃部
Koji Takahata
電話:+81-3-6478-2404

More News From Kioxia Corporation

Kioxia與Sandisk宣佈開始在北上廠區Fab2量產第10代3D快閃記憶體

東京與加州米爾皮塔斯--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Kioxia Corporation是Kioxia Holdings Corporation(東京證券交易所代號:285A)旗下子公司,其與Sandisk Corporation(納斯達克代號:SNDK)今日宣布,位於日本岩手縣北上工廠的Fab2(K2)已開始生產其第10代3D快閃記憶體技術產品。這一里程碑象徵著兩家公司繼續推動具重大意義的多年度位元增長,以應對市場對其創新快閃記憶體技術的強勁需求。 配合投產,兩家公司為K2廠房舉行了揭幕儀式。該廠房於2025年9月啟用,此前一直生產兩家公司的第8代3D快閃記憶體產品,並將隨着引入第10代產品而開始擴大生產規模。這兩代3D快閃記憶體均採用創新的CBA(CMOS直接鍵合於陣列)技術,具備高效能、高容量及低功耗的特點。 Fab2廠房採用具備吸震功能的建築結構,其設計亦採用最先進的節能製造設備。該廠房藉助人工智慧以提升生產效率,並採用高空間利用率的設施設計,從而擴大了其潔淨室內可用於裝設製造設備的空間。 Kioxia與Sandisk近期宣布將其合資企業架構延長至2...

Kioxia開始出樣兼具高效能、高容量與低功耗的第十代BiCS FLASH™快閃記憶體元件

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球儲存解決方案領導者Kioxia Corporation今日宣布,已開始交付採用其第十代BiCS FLASH™ 3D快閃記憶體技術的1Tb(兆位元)三層單元(TLC)記憶體樣品。1這些新品將主要整合到公司的企業級和資料中心固態硬碟(SSD)產品線中,從而進一步強化Kioxia的產品陣容,以滿足AI儲存領域對更高效能、更高容量和更低功耗與日俱增的需求。這些新產品將採用最先進的設備,在Kioxia位於日本岩手縣北上市工廠的Fab2廠區進行製造。 透過利用自第八代BiCS FLASH™起便採用的創新CMOS直接貼合至陣列(CBA)技術2和同間距選取閘極汲極(OPS)技術3,第十代技術實現了4.8 Gb/s4的NAND介面速度,較第八代提升了33%。透過堆疊332層並提升水平密度,其位元密度提高了59%。此外,其寫入和讀取的功耗效率分別提升18%和30%5,有助於降低資料中心和企業級基礎設施的功耗。 在獨特的雙軸策略指導下,Kioxia正同步推進兩條不同的產品線:一是以相對較低的投資成本實現高效能的第九代解決方案;二是利用先進層...

Kioxia簽署第20屆亞運和第5屆亞帕運合作協議

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球記憶體解決方案領域的領軍企業Kioxia Corporation欣然宣布,已與愛知·名古屋亞洲運動會及亞洲帕拉運動會籌備委員會簽署合作協議,以支援2026年愛知·名古屋第20屆亞運和2026年第5屆亞帕運。 第20屆亞運是32年來首次重返日本的亞洲最大運動盛會,將繼續把電子競技列為正式獎牌項目。運動員們將在11個分項和13個小項中展開獎牌角逐。身為本屆亞運的官方遊戲固態硬碟供應商,Kioxia將提供其最快的消費級固態硬碟——EXCERIA PRO G2 SSD,確保為選手們創造最佳競技環境,協助他們發揮出最佳水準。 秉承「用『記憶』讓世界更美好」的使命,Kioxia對這兩項賽事的贊助彰顯了其支援電子競技持續發展、協助實現更加豐富多元的數位社會的承諾。 合作協議詳情 贊助等級: 第20屆亞運:第4級官方供應商 第5屆亞帕運:第4級官方供應商 合約期限:從2026年6月24日(協議簽署之日)至12月31日 賽事概覽 第20屆亞運 日期:2026年9月19日至10月4日(電子競技項目:2026年9月23日至10月2日) 地點...
Back to Newsroom