東芝新推出的1200V和1700V碳化矽MOSFET模組幫助實現尺寸更小、更高效率的工業設備

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（「東芝」）已推出兩款碳化矽(SiC) MOSFET雙模組：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。這是東芝首款具有此類電壓等級的產品，與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V元件的陣容。

新模組在安裝方式上與廣泛使用的矽(Si) IGBT模組相容。其低能量損耗特性滿足了工業設備對更高效率和更小尺寸的需求，如軌道車輛的轉換器和逆變器，以及可再生能源發電系統。

應用

• 軌道車輛的逆變器和轉換器
• 可再生能源發電系統
• 馬達控制設備
• 高頻DC-DC轉換器

特點

• 安裝方式相容Si IGBT模組
• 損耗低於Si IGBT模組

MG600Q2YMS3
V_DS(on)sense =0.9V（典型值）@I_D=600A，T_ch=25°C
E_on=25mJ（典型值），E_off=28mJ（典型值） @V_DS=600V，I_D=600A，T_ch=150°C

MG400V2YMS3
V_DS(on)sense=0.8V（典型值）@I_D=400A, T_ch=25°C
E_on=28mJ（典型值），E_off=27mJ（典型值）@V_DS=900V，I_D=400A，T_ch=150°C

• 內建NTC熱敏電阻

主要規格

（除非另有規定，否則@Tc=25°C）
組件編號			MG600Q2YMS3	MG400V2YMS3
封裝			2-153A1A
絕對  最大  額定值	漏級-源級電壓VDSS (V)		1200	1700
	閘級-源級電壓VGSS (V)		+25/-10	+25/-10
	漏極電流 (DC) ID (A)		600	400
	漏極電流（脈衝）IDP (A)		1200	800
	溝道溫度Tch (°C)		150	150
	隔離電壓Visol (Vrms)		4000	4000
電氣  特性	漏級-源級導通電壓（感應）  VDS(on)sense典型值(V)	@VGS =+20V,  Tch＝25°C	0.9  @ID＝600A	0.8  @ID＝400A
	源級-漏級導通電壓（感應）  VSD(on)sense典型值(V)	@VGS =+20V,  Tch＝25°C	0.8  @IS＝600A	0.8  @IS＝400A
	源級-漏級關斷電壓（感應）  VSD(off)sense典型值(V)	@VGS =-6V,  Tch＝25°C	1.6  @IS＝600A	1.6  @IS＝400A
	開通損耗Eon typ. (mJ)  Eon典型值(mJ)	@Tch=150°C	25  @ VDS=600V,  ID=600A	28  @VDS=900V,  ID=400A
	關斷損耗Eoff typ. (mJ)  Eoff典型值(mJ)	@Tch=150°C	28  @ VDS=600V,  ID=600A	27  @VDS=900V,  ID=400A
熱敏電阻特性	額定NTC電阻R典型值(kΩ)		5.0	5.0
	NTC B值 B典型值(K)	＠TNTC=25 - 150°C	3375	3375

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MG600Q2YMS3
MG400V2YMS3

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SiC功率元件

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關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社
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