Transphorm的SuperGaN第四代多千瓦級功率FET獲得汽車級認證

該元件瞄準數十億美元的市場，在高電壓、高功率GaN領域處於領先地位

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--高可靠性、高性能的氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm Inc. (OTCQX: TGAN)今日宣布，其旗艦產品SuperGaN®第四代35毫歐姆元件已成功完成美國汽車電子協會(Automotive Electronics Council)發布的汽車級半導體分立元件AEC-Q101標準的應力測試。這項成就象徵著公司擁有了第三個獲得汽車級認證的產品線。

與其第三代前代產品一樣，第四代TP65H035G4WSQA元件經認證的結溫達到175°C，比碳化矽MOSFET的標準高出25°C，並且是任何其他GaN解決方案尚未達到的額定溫度，其中某些解決方案僅達到125°C的標準。

OMDIA資深首席分析師Richard Eden表示：「隨著每一代GaN平臺的推出，Transphorm不斷提高元件性能、功率密度和可製造性，同時使元件價格更接近矽元件。汽車市場對GaN技術所展現的優勢的興趣漸濃，而Transphorm擁有已獲得AEC Q101認證的強大GaN產品組合，可以促進該技術的普及。Omdia相信，在規模達數十億美元的汽車市場中，及早採用GaN電晶體可能讓公司在2025年突破1億美元大關。」

高電壓GaN解決方案可有效解決多種電動汽車(EV)問題。例如，從電動車電池向傳動系統轉換功率時，GaN可提供更高的轉換效率，能夠在相同的續航里程內使用更小的電池，或者在更長的續航里程內使用相同規格的電池，從而緩解續航里程焦慮。

此外，GaN FET的操作頻率較高，可增加功率密度，縮減系統的尺寸和重量。這些優勢有利於車載充電器(OBC)、直流-直流(DC-DC)轉換器和主牽引逆變器，同時也有助於增加電池續航能力，並加快充電速度。這三個突出的關鍵系統使電池電動汽車(BEV)不僅能夠行駛，而且運轉良好，而GaN在每個系統中都發揮了作用。

TP65H035G4WSQA元件特性

經AEC-Q101認證的TP65H035G4WSQA FET提供35 mΩ業界標準的典型導通電阻，並採用熱性能卓越的TO-247封裝，這種封裝配置在任何版本的增強型(e-mode) GaN中均不可用。透過其獲得專利的SuperGaN技術，該元件還具備以下特點：

• 具有更高的品質因數(R_ON*Q_OSS)和更平穩、更高的效率曲線，在類似的TO-247封裝的比較中，與SiC相比，該曲線顯示的功率損耗降低了27%至38%。
• 封裝電感更低，軟開關效果更佳，有助於降低電磁干擾(EMI)。
• 抗噪性（閾值電壓為4V）更強，消除了由於閘極瞬變導致的零星導通，而其他閾值電壓低於2V的GaN技術在更高功率系統中容易受到閘極瞬變的影響。
• 業界穩健性首屈一指的±20V閘極。

與e-mode等其他GaN元件相比，這些優勢可以用極少的外部電路在更大的電流強度下產生噪音更小的開關和更高的性能，從而提高功率密度、可靠性和系統成本。

Marelli是汽車領域全球領先的獨立跨國供應商之一，也是Transphorm的策略合作夥伴。該公司技術與創新長Joachim Fetzer表示：「我們將GaN功率半導體視為我們汽車電動動力總成解決方案的主要差異化因素。我們與Transphorm合作並向其投資，因為我們注意到Transphorm對品質、可靠性和製造的承諾是當今任何其他GaN供應商所望塵莫及的。他們的SuperGaN第四代元件汽車級認證只是另一個證明。對於我們的應用來說，它是一種具有成本效益和高性能的解決方案，使我們不僅在性能和效率上，而且在整體系統優勢上獲得競爭優勢。我們的目標是透過Transphorm以合理的成本為客戶提供更可靠的電力。」

供貨

Transphorm符合AEC-Q101標準的TP65H035G4WSQA FET將於12月初開始供貨。該元件採用其符合JEDEC標準的前代產品TP65H035G4WS建構，目前可透過Digi-Key和Mouser購買。

關於Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體元件。歸倥於垂直整合的商業模式，該公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子元件突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa和在微信@ Transphorm_GaN上掌握我們的最新動態。

SuperGaN商標是Transphorm, Inc的註冊商標。所有其他商標均為其各自所有者的財產。

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