-

铠侠推出业界首款采用PCIe® 5.0技术设计的EDSFF固态硬盘

全新铠侠CD7 E3.S系列EDSFF E3.S数据中心SSD针对存储密度和电源效率进行了优化

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--铠侠株式会社(Kioxia Corporation)今天宣布推出业界首个采用PCIe® 5.0技术[1]设计的企业和数据中心标准外形(EDSFF) E3.S系列固态硬盘(SSD)产品——铠侠CD7 E3.S 系列,开启服务器和存储系统用闪存产品的新时代。CD7 E3.S系列以去年在闪存峰会上获得“Best in Show”大奖的铠侠E3.S开发样品为构建基础,增加了每块硬盘的闪存密度,并优化了电源效率和机架空间占用[2]

EDSFF E3系列摆脱了2.5英寸外形规格的设计限制,针对高性能、高效率服务器和存储系统的相关需求进行了优化。EDSFF标准使下一代SSD能够应对未来的数据中心架构,同时支持各种新设备和应用。借助EDSFF的设计,该系列增加了风量,提高了散热效率,并具有信号完整性优势。EDSFF支持比2.5英寸规格SSD更高的E3.S功率预算和更好的信号完整性,从而能够充分发挥PCIe 5.0及更高级技术的性能潜力。

铠侠是EDSFF解决方案在业界发展过程中做出积极贡献的成员,并与领先的服务器和存储系统开发商合作,以释放闪存、NVMe™ 和PCIe的全部性能。

CD7 E3.S系列主要特性

  • EDSFF E3.S外形规格,容量高达7.68TB
  • 根据最新PCIe 5.0规范设计,针对x2 PCIe通道性能进行优化
  • 较少的PCIe通道占用,可支持更多种类的PCIe设备
  • 基于铠侠的BiCS FLASH™ 3D TLC闪存打造
  • 读取吞吐量高达6,450MB/s和随机读取1,050K IOPS
  • 读取延迟为75μs,写入延迟为14μs,与铠侠上一代PCIe 4.0 SSD相比分别降低约17%和60%。
  • E3.S规格外壳,嵌入式LED状态指示灯,可以直观查看SSD状态。这意味着无需安装额外的LED指示灯(此类LED通常嵌入在系统机箱的驱动盘中),从而有助于节省系统成本。

铠侠CD7 E3.S系列现已面向部分原始设备制造商(OEM)客户提供样品。

如需了解有关EDSFF E3技术的更多信息,请参阅以下戴尔、HPE和铠侠联合发布的白皮书。
https://business.kioxia.com/content/dam/kioxia/ncsa/en-us/business/asset/KIOXIA_EDSFF_Intro_White_Paper.pdf


[1] 截至2021年11月9日,基于铠侠的调查。
[2] 与2.5英寸外形规格的SSD相比。“2.5英寸”代表SSD的外形规格,并不表示硬盘的物理尺寸。

*容量的定义:铠侠株式会社将兆字节(MB)定义为1,000,000字节,将千兆字节(GB)定义为1,000,000,000字节,将太字节(TB)定义为1,000,000,000,000字节。但是,计算机操作系统使用2的方幂来报告存储容量,定义1GB = 2^30字节= 1,073,741,824字节,1TB = 2^40字节= 1,099,511,627,776字节,因此显示的存储容量较小。可用存储容量(包括各种媒体文件的示例)将根据文件大小、格式、设置、软件和操作系统(例如Microsoft®操作系统和/或预安装的软件应用程序)或媒体内容而异。实际格式化的容量可能有所不同。

*PCIe是PCI-SIG的注册商标。
*NVMe是NVM Express, Inc.在美国和其他国家的注册或未注册商标。
*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

关于铠侠

铠侠是全球存储器解决方案领导者,致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘(SSD)。东芝公司于1987年发明了NAND闪存,2017年4月,铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司分拆出来。铠侠致力于通过提供产品、服务和系统,为客户提供选择,为社会创造基于内存的价值,从而用“内存”提升世界。铠侠创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造诸多高容量应用的未来存储方式,其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心等。

客户咨询:
铠侠株式会社
销售推进部
电话:+81-3-6478-2427
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

*本新闻稿中的信息,包括产品价格和规格、服务内容以及联系信息,截至本新闻稿发布之日均是正确的,如有变动,恕不另行通知。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒体垂询:
铠侠株式会社
销售战略规划部
Koji Takahata
电话:+81-3-6478-2404

Kioxia Corporation



Contacts

媒体垂询:
铠侠株式会社
销售战略规划部
Koji Takahata
电话:+81-3-6478-2404

More News From Kioxia Corporation

KIOXIA固态硬盘实现与Microchip Adaptec® SmartRAID 4300系列RAID存储加速器的兼容性

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation今日宣布,其2.5英寸KIOXIA CM7系列企业级PCIe®5.0 NVMe™ 2.0固态硬盘、KIOXIA CD8P系列数据中心PCIe 5.0 NVMe 2.0固态硬盘,以及KIOXIA CD8系列数据中心PCIe 4.0 NVMe 1.4固态硬盘已成功完成与Microchip Technology Inc.的Adaptec® SmartRAID 4300系列RAID存储加速卡的兼容性及互操作性测试。 Adaptec SmartRAID 4300加速器最多可支持32个NVMe固态硬盘,并且每个硬盘都通过其专用通道直接连接到CPU。这一设计消除了传统单一x16主机接口常见的PCIe瓶颈,使得每个固态硬盘都能以峰值性能运行。这一创新架构提供了卓越的吞吐量和IOPS,使其成为数据密集型企业应用的理想解决方案。下一代数据中心基础设施的成功,依赖于整个生态系统的协作与互操作性,以确保现有与未来技术能够实现无缝集成。 Microchip名称和Adaptec是Microchip Technolo...

KIOXIA AiSAQ™技术已集成至Milvus向量数据库

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation今日宣布,其近似最近邻搜索(ANNS)软件技术KIOXIA AiSAQ™已从Milvus 2.6.4版本起正式集成到这款开源向量数据库中。通过此次集成,Milvus用户可充分利用KIOXIA AiSAQ™经SSD优化的向量搜索能力,为开发者和企业提供一条实用且经济高效的AI应用扩展路径,无需面对大规模向量搜索通常伴随的DRAM内存扩容难题。 AI行业正从构建大规模基础模型,转向部署可扩展、高性价比的推理解决方案以应对现实世界挑战。检索增强生成(RAG)是这一转型的核心,而KIOXIA AiSAQ™技术的研发初衷,就是帮助社区利用基于SSD的向量架构。其融入Milvus生态系统后,不仅降低了开源社区的采用门槛,还能支持开发者打造更快、更高效的AI应用。 KIOXIA AiSAQ™于今年早些时候首次发布,是一款开源软件技术,通过将所有与RAG相关的数据库元素存储在SSD上,大幅提升向量可扩展性*1。随着DRAM可扩展性成为海量推理和RAG工作负载的关键瓶颈,KIOXIA AiSAQ™技术实现...

Kioxia研发核心技术,助力高密度低功耗3D DRAM的实际应用

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领域的领军企业Kioxia Corporation今日宣布,已研发出具备高堆叠性的氧化物半导体沟道晶体管技术,该技术将推动高密度、低功耗3D DRAM的实际应用。这项技术已于12月10日在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会(IEDM)上亮相,有望降低AI服务器和物联网组件等众多应用场景的功耗。 在AI时代,市场对于具备更大容量、更低功耗、可处理海量数据的DRAM的需求持续攀升。传统DRAM技术在存储单元尺寸微缩方面已逼近物理极限,业界因此开始研究存储单元的3D堆叠技术,以此拓展存储容量。传统DRAM采用单晶硅作为堆叠存储单元中晶体管的沟道材料,这种方式会推高制造成本,同时存储单元的刷新功耗还会随存储容量的增加而成正比上升。 在去年的IEDM上,我们宣布研发出氧化物半导体沟道晶体管DRAM (OCTRAM)技术,该技术使用由氧化物半导体材料制成的垂直晶体管。在今年的大会展示中,我们推出了可实现OCTRAM 3D堆叠的高堆叠性氧化物半导体沟道晶体管技术,并完成了8层晶体管堆叠结构的功能验证。 这项新技术将...
Back to Newsroom