-

Transphorm聯手Salom推出符合高通Quick Charge 5標準的100瓦 USB-C PD PPS充電器

搭載高通(Qualcomm®) Quick Charge™ 5技術的通用型氮化鎵電源配接器可在5分鐘內將智慧手機的電量從0%充至50%

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布與電源解決方案製造商Salom合作,在市場上推出符合Quick Charge 5標準的100瓦氮化鎵電源配接器,產品預計將於2021年第四季上市。

新型USB-C供電(USB-C PD)充電器將搭載Quick Charge 5技術,可使智慧手機在5分鐘內將電量從0%充至50%。*該產品是一款通用型配接器,可提供傳統供電模式和3.0版USB-C可程式化供電(PPS)模式,使充電器能夠輕鬆提供平滑移動的範圍電壓(3.3V-21V之間),而非傳統模式的步進式電壓輸出。

在高通公司協助下,Transphorm制定了配接器規格並設計了從通用輸入到USB-C PD/PPS輸出的全功能產品。Transphorm的氮化鎵材料可用於傳統的AC-DC升壓PFC和DC-DC準諧振反馳式(QRF)拓撲。隨後,Salom負責採用該系統、對其進行微調、週邊開發,並完成所有必要認證,例如Quick Charge 5、傳導/輻射發射、接觸溫度等。

Transphorm全球技術行銷與業務開發資深副總裁Philip Zuk表示:「採用Transphorm的氮化鎵配接器解決方案能夠以更低的成本實現更多功能。與e-mode等其他氮化鎵解決方案相比,我們的常閉型SuperGaN®場效應電晶體(FET)設計簡便並具有類似標準矽的驅動性能,同時能以極小的空間佔用提供更高的功率而不損失性能。此外,實務證明,我們的產能可以滿足大量的量產需求。能與Salom合作推出這款符合Quick Charge 5標準的充電器,我們深感自豪。能夠利用這種革命性技術是一種莫大的榮幸,也是我們團隊工程成就和合作的證明。」

Salom America Co.總裁Joseph Reisinger補充道:「Transphorm和Salom展現出非凡的合作與奉獻精神,使我們能夠在短時間內從產品概念階段轉入生產階段。我們相信,雙方合作生產的USB-C PD/PPS充電器將是當前性能最可靠的充電器之一,將為消費者帶來真正快速、輕鬆的充電體驗。」

關於Transphorm, Inc.

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者,致力於設計和製造用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一,持有或取得授權的專利超過1,000多項,在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓GaN半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式,公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新:設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破矽的局限性,以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔,並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊,請造訪www.transphormusa.com。在Twitter @transphormusa並透過微信號Transphorm_GaN關注我們。

關於Salom

Salom是一家全球領先的消費電子市場電源產品製造商。作為多家《財星》500大公司的原始設計製造商(ODM),Salom不斷突破功率密度和效率極限,同時能夠量產符合六標準差品質標準的產品。Salom產品受到世界各地多家優秀電子公司的信賴,40多年來一直為全球設備提供電源。如需瞭解更多資訊,請造訪www.salom.com

*Quick Charge的設計性能為在5分鐘內將設備的電池電量最高增加50%。實際結果可能因設備設計而有所不同。

SuperGaN是Transphorm, Inc.的註冊商標。所有其他商標均為其各自所有者的財產。

Qualcomm和Quick Charge是Qualcomm Incorporated的商標或註冊商標。Qualcomm Quick Charge是Qualcomm Technologies, Inc.和/或其子公司的產品。

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒體聯絡人:
Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com

投資人聯絡人:
Shelton Group
Brett Perry | Leanne Sievers
1-214-272-0070 | 1-949-224-3874
sheltonir@sheltongroup.com

Transphorm, Inc.

OTCQX:TGAN


Contacts

媒體聯絡人:
Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com

投資人聯絡人:
Shelton Group
Brett Perry | Leanne Sievers
1-214-272-0070 | 1-949-224-3874
sheltonir@sheltongroup.com

More News From Transphorm, Inc.

Transphorm 推出適用於電動交通與能源/工業市場的新型雙向 SuperGaN 電源參考設計

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Transphorm, Inc.(納斯達克股票代碼:TGAN)是全球領先的高穩健性氮化鎵 (GaN) 功率半導體供應商,今日宣佈推出適用於兩輪及三輪電動車電池充電器的新型 300W 直流-直流氮化鎵參考設計。TDDCDC-TPH-IN-BI-LLC-300W-RD 設計採用 TP65H150G4PS 150 mOhm SuperGaN® FET,搭配堅固的 TO-220 封裝,為高效能、高效率的能量收集與分配電池充電系統供電。這款新電路板特別展示了氮化鎵電源最令人期待的賣點之一:雙向性。此功能意味著單一電源系統能根據系統需求,從輸入(交流電)到輸出(直流電)和輸出(直流電)到輸入(交流電)雙向輸送電力,同時氮化鎵 (GaN) 可在兩種轉換中實現高能源效率。 「氮化鎵在大功率應用中的首要價值體現在無橋圖騰柱功率因數校正電路的高效運作。這進一步在各種拓撲結構中帶來了更高等級的優勢,包括在 30 瓦到 10 千瓦的整個功率轉換範圍內實現更小、更低成本的電源系統,」Transphorm 董事長兼行政總裁 P...

Transphorm的SuperGaN亮相PCIM 2024展會:在大功率系統中超越碳化矽和增強型氮化鎵的能力

加利福尼亞州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布,將在2024德國紐倫堡電力電子系統及元件展覽會(PCIM 2024)上展示其超越競爭對手的寬能隙技術。例如,與碳化矽相比,Transphorm的常關耗盡型SuperGaN®平台具有更高的電子移動率,從而降低了交叉損耗,為各種電動車、資料中心/人工智慧、基礎設施、再生能源和其他廣泛的工業應用提供了更具成本效益、效能更高的解決方案。如需瞭解更多資訊,可在2024年6月11至13日的PCIM展會期間,蒞臨Transphorm位於7號展廳108展位進行面對面交流。 Transphorm SuperGaN場效電晶體正投產於廣泛的客戶產品,這些產品的功率範圍涵蓋從低功率的45瓦電源配接器到高功率的7.5千瓦電源裝置。 其中許多客戶產品是首批公開認可的基於氮化鎵的同類系統,展示了SuperGaN平台獨有的優勢。例如,如前所述的用於關鍵任務資料中心/區塊鏈應用的7.5千瓦液冷電源、功率密度大於82瓦/立方英吋的...

Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件

美國加利福尼亞州戈萊塔,臺灣新竹--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(納斯達克:TGAN)與適配器USB PD控制器積體電路的全球領導者Weltrend Semiconductor Inc.(偉詮電子,TWSE:2436)今日宣佈推出兩款新型系統級封裝氮化鎵器件(SiP),與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起,組成首個基於 Transphorm SuperGaN® 平臺的系統級封裝氮化鎵產品系列。 新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了偉詮電子的高頻多模(准諧振/穀底開關)反激式PWM控制器和Transphorm的150毫歐和480毫歐SuperGaN FET。與上一款240毫歐器件(WT7162RHUG24A)相同,兩款新的器件與USB PD或可程式設計電源適配器控制器配對即可提供整體適配器解決方案。值得注意的是,它們還可提供更多創新功能,包括UHV穀底跟蹤充電模式、自我調整OCP補償和自我調整綠色模式控制等,使客戶能夠使用...
Back to Newsroom