Bel Power Solutions和Transphorm宣布推出鈦金級效率交流轉直流電源系列

採用氮化鎵的資料中心電源日漸升溫，功率為1.5至3.2瓩的TET系列緊抓這一機會

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--高可靠性、高性能的氮化鎵(GaN)功率轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)與Bel集團(NASDAQ: BELFA and BELFB)旗下子公司Bel Power Solutions今天聯合宣布，Bel的六款鈦金級效率電源採用了Transphorm的高壓GaN場效應電晶體(FET)。從這一消息可以看出，在資料中心伺服器、路由器和網路交換器中部署高性能、寬頻隙電源裝置已呈不斷成長的趨勢。

這六款採用GaN的TET系列電源裝置是交流(AC)轉直流(DC)前端電源。具體包括TET3000系列，這是業界首款達到鈦金級效率的交流轉直流電源，其中GaN被用於交流轉直流無橋圖騰柱功率因數校正(PFC)功率級——該產品此後可根據客戶對高功率輸出的需求，使用相同電路並在改進韌體後，升級為TET3200系列。其餘四個TET系列的功率在1.5瓩到2.5瓩之間，並採用標準1U或通用冗餘電源(CRPS)機架安裝式外形封裝。整個系列在高電壓下的效率超過96%，主輸出電壓為12 VDC（直流電壓），這些電源裝置也因此達到80 Plus鈦金標準。

GaN：徹底改變資料中心電源領域

與矽(Si)相比，氮化鎵功率轉換器在電源應用中擁有根本性的優勢。事實證明，Transphorm的GaN FET可以將交流轉直流PFC級的效率提升到99%以上，從而在降低整體系統成本的同時，提高功率密度（外形尺寸相同，功率更大）——除此之外，已公布的現場可靠性小於1.0 FIT（失效率）。

鑒於這些優勢，預計未來幾年裡，GaN功率電晶體的應用有望迅速增加。Omdia近日預測，事實上，從2019年到2024年，應用於資料中心電源的GaN功率電晶體的整體年複合成長率(CAGR)將達到66.5%。

Bel Power Solutions業務發展經理Ian Warner表示：「我們始終堅持與大型資料中心合作，打造一系列具有針對性的電源解決方案，這些解決方案利用尖端技術來為客戶的各類應用提供服務，幫助他們不斷提高業績。我們用Transphorm的GaN技術來設計產品已超過六年。迄今為止，我們在效率和可靠性上不斷提升，並打造出TET系列電源，以無與倫比的解決方案超出客戶的期望。在資料中心領域，我們正在掀起一場革命，而Transphorm正是這背後不可或缺的重要力量。」

基於GaN的TET系列產品

Transphorm的GaN技術已在多個TET系列中應用，包括Bel的鈦金級效率前端交流轉直流電源系列，具體如下：

系列	功率（瓩）	輸入電壓（交流電壓）	功率密度（瓦/立方英寸）	外形尺寸（毫米）
TET1500	1.5	100 – 277	35	54.5 x 40.0 x 321.5
TET2000	2	90 – 264	48.5	86 x 40.0 x 195
TET2200	2.2	90 – 264	53.1	86.3 x 39.3 x 196.5
TET2500	2.5	90 – 264	62	86 x 40.0 x 195
TET3000	3	90 – 300	31.7	69 x 40.5 x 555
TET3200	3.2	90 – 300	33.9	555 x 69 x 40.5

Transphorm全球技術行銷與北美銷售副總裁Philip Zuk表示：「過去幾年裡，高壓GaN對眾多產業產生了積極影響。資料中心市場將是下一個目標。事實證明，Transphorm在各類應用中的功率技術指標達到10 kW以上。隨著每代產品的陸續推出，我們的設備成本不斷降低，已經越來越接近矽的水準。而在品質和可靠性方面，我們同樣樹立了產業標竿。我們在該領域已具備無可比擬的優勢，讓我們的GaN元件成為資料中心解決方案的理想選擇。」

關於Bel

Bel (www.belfuse.com)致力於設計、製造和行銷各類用於電子電路供電、保護和連接的產品。這些產品主要用於網路、電信、電腦、軍事、航空、運輸和廣播等行業。Bel的產品組合包括磁性解決方案（一體化連接器模組、電源變壓器、功率電感器和分立元件）、電源解決方案和保護（前端、板載和工業電源產品、模組產品和電路保護）以及連接解決方案（線束光纖擴充模組、銅基、RF和RJ連接器，以及電纜元件）。公司旗下工廠遍布世界各地。

關於Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓GaN半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪https://www.transphormchina.com/。在Twitter @transphormusa和微信@ Transphorm關注我們。

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