Transphorm的SuperGaN Gen V FET提供世界上最低的封裝導通電阻，瞄準電動汽車應用

Transphorm和策略合作夥伴Marelli將進軍快速成長的電動汽車功率轉換市場

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- (美國商業資訊)--高可靠性、高性能的氮化鎵(GaN)功率轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN)今日宣布供應其SuperGaN^TM自主品牌旗下的首款Gen V元件的樣品。Transphorm的新型Gen V元件TP65H015G5WS瞄準電動汽車(EV)市場，提供SuperGaN元件系列業界領先的固有性能增強、易設計性和最佳化的成本結構。值得一提的是，該公司的Gen V GaN解決方案提供世界上最低的封裝導通電阻，並且與採用標準TO-247-3封裝的碳化矽(SiC)相比功耗降低了25%，從而提升GaN在EV功率轉換市場上的潛力。

2020年3月，汽車業全球領先的獨立供應商之一Marelli宣布與Transphorm建立策略合作關係，合作開發採用GaN技術的新型汽車/EV功率轉換解決方案，包括適用於電動及混合動力汽車的車載充電器(OBC)、直流-直流(DC-DC)轉換器和動力系統變頻器。到目前為止，Marelli已向Transphorm做出400萬美元的股權投資，並承諾在2021年第一季追加100萬美元的股權投資。

Marelli電動動力系統執行長Joachim Fetzer博士評論道：「Transphorm驗證並實現了採用電橋組態的離閐封裝GaN元件的功率可達10千瓦，這進一步印證了GaN用於電動汽車轉換器和變頻器的令人興奮的前景。作為我們此前宣布的合作關係的一部分，我們將繼續對Transphorm業界領先的GaN元件進行評估，並合力為EV系統產品多年藍圖提供支援。」

Transphorm共同創辦人兼營運長Primit Parikh表示：「我們不斷革新Transphorm的SuperGaN FET技術，現在能夠以市面上標準的TO-247-3封裝提供世界上最低的導通電阻，同時瞄準電動汽車及其他更高功率轉換應用。這使客戶能夠透過單台設備將功率提高到兩位數千瓦，從而繼續證明GaN具有提供更高性能、更低系統成本和更高功率密度的能力。我們的Gen V GaN平臺為以前需要並聯的功率電平創造了新的設計機會，同時仍能提供超過99%的效率。」

Transphorm的SuperGaN™技術優於碳化矽

SuperGaN Gen V平臺融合了其上一代Gen IV的所有經驗、獲專利的減小封裝電感技術、易於設計性和可驅動性（4V的V_th，以實現抗擾性）和+/- 20 V_max的閘極穩健性，以及簡化縮小的裝配結構。在《電子工程世界》(EEWorld)上發表的《突破高壓GaN功率轉換極限》最新文章中，該公司的TP65H015G5WS與採用標準TO-247-3封裝、導通電阻類似的尖端SiC MOSFET進行了比較。這兩款元件在半橋同步升壓轉換器中均以70 kHz的頻率作業，最高功率為12 kW，而得出的結果是Transphorm的GaN元件的功耗低25%。

Transphorm已開始供應SuperGaN Gen V FET的樣品，SuperGaN Gen V FET是一款電阻15 mΩ、電壓 650 V的元件，由於其閘極靈敏度，當下流行的單晶片e-mode GaN技術在此元件中不可用。該解決方案與採用離散封裝的典型SiC MOSFET的最低電阻(R)相當，能夠根據目標應用驅動10 kW以上的功率，例如EV OBC和動力系統逆變器、機架式資料中心伺服器的電源、工業用不斷電系統應用及可再生太陽能逆變器。TP65H015G5WS也將用於裸片級封裝模組解決方案，後者能夠進一步並聯以實現更高的功率。該公司預計其Gen V FET元件將在2021年年中獲得JEDEC認證，此後也有望獲得AEC-Q101認證。

關於Marelli

MARELLI是汽車業全球領先的獨立供應商之一。我們在創新和卓越製造方面擁有強大而穩定的過往業績，我們的使命是透過與客戶和合作夥伴合作來創造一個更安全、更綠色和更緊密連結的世界，以改變交通運輸的未來。MARELLI在全球擁有約6萬名員工，在亞洲、美洲、歐洲和非洲擁有170座工廠和研發中心，2019年的收入為134億歐元（15,410億日圓）。

關於Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓GaN半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。在Twitter @transphormusa上掌握我們的最新動態。

SuperGaN標誌是Transphorm, Inc.的註冊商標。所有其他商標均為其各自所有者的財產。

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