-

Kioxia Corporation breidt de productiecapaciteit van 3D-flashgeheugen uit door een nieuwe productiefaciliteit te bouwen in de fabriek in Yokkaichi

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, de wereldleider in geheugenoplossingen, heeft vandaag aangekondigd dat het zal beginnen met de bouw van een ultramoderne fabricagefaciliteit (Fab7) in de Yokkaichi-fabriek in de prefectuur Mie, Japan om de productie van zijn eigen 3D Flash-geheugen BiCS FLASHTM. De bouw van de Fab7-fabriek van Kioxia Corporation begint naar verwachting in het voorjaar van 2021.

Door technologische innovatie is de hoeveelheid gegevens die wereldwijd wordt gegenereerd, opgeslagen en gebruikt, exponentieel toegenomen. Bovendien verwacht de flash-geheugenmarkt verdere groei, aangedreven door clouddiensten, 5G, IoT, AI en geautomatiseerd rijden. Als gevolg hiervan zal de productie van geavanceerde producten in de Fab7-fabriek van Kioxia Corporation blijven voldoen aan de toenemende vraag naar geheugen over de hele wereld.

De Fab7-faciliteit zal worden gebouwd aan de noordkant van de Yokkaichi-fabriek, waar landontwikkeling plaatsvindt. Om een ​​optimale productie van geavanceerde flash-geheugenproducten te garanderen, zal de bouw van Fab7 worden opgesplitst in twee fasen, waarbij de eerste bouwfase naar verwachting in het voorjaar van 2022 voltooid zal zijn. Kioxia is van plan de kapitaalinvesteringen voor de bouw van Fab7 uit zijn operationele cashflow.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.

Contacts

For More Information
Public Relations
Kota Yamaji (kioxia-hd-pr@kioxia.com)
Kioxia Holdings Corporation

Kioxia Corporation



Contacts

For More Information
Public Relations
Kota Yamaji (kioxia-hd-pr@kioxia.com)
Kioxia Holdings Corporation

More News From Kioxia Corporation

Samenvatting: Kioxia ontwikkelt kerntechnologie die de praktische implementatie van high-density, low-power 3D DRAM mogelijk maakt

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, een wereldleider gespecialiseerd in geheugenoplossingen, kondigde vandaag de ontwikkeling aan van sterk stapelbare oxide-halfgeleiderkanaal transistoren die de praktische implementatie van high-density, low-power 3D DRAM mogelijk maken. Deze technologie werd voorgesteld tijdens de IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) die doorging in San Francisco, Verenigde Staten, op 10 december en heeft het potentieel om stroomverbruik te verminderen i...

Samenvatting: Kioxia en Google werken samen om het gebruik van schone energie in Japan te stimuleren

YOKKAICHI, Japan--(BUSINESS WIRE)--Als onderdeel van zijn streven naar een duurzamere toekomst heeft Kioxia Corporation (“Kioxia”) vandaag een samenwerkingsinitiatief met Google LLC (“Google”) aangekondigd om het gebruik van schone elektriciteit uit een waterkrachtrenovatieproject in de Japanse regio Chubu te stimuleren. Dit project, dat eigendom is van de Chubu Electric Power-groep, zal naar verwachting de jaarlijkse productie van schone energie verhogen, bijdragen aan de decarbonisatie van he...

Samenvatting: Kioxia en Sandisk kondigen de start aan van Fab2 in de fabriek in Kitakami, Japan, om te voldoen aan de marktvraag die wordt aangedreven door AI

TOKIO & MILPITAS, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, een dochteronderneming van Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A) en Sandisk Corporation (NASDAQ: SNDK), hebben vandaag de start aangekondigd van Fab2 (K2), een ultramoderne halfgeleiderfabriek in de Kitakami-fabriek in de prefectuur Iwate, Japan. Fab2 heeft de capaciteit om achtste generatie 218-laags 3D-flashgeheugen te produceren, met de revolutionaire CBA-technologie (CMOS directly Bonded to Array) van de bedrijven, en toekom...
Back to Newsroom