Transphorm推出第四代GaN平臺及SuperGaN™功率FET

新一代高壓GaN元件成本更低，性能更高，設計更簡單

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- --(美國商業資訊)--設計和製造高可靠性、並率先獲得JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵（GaN）功率半導體元件的領先公司Transphorm，Inc.今天宣布推出其第四代GaN平臺。與前幾代GaN技術相比，Transphorm的新一代技術在性能、可設計性和成本方面都有顯著進步。Transphorm今日還宣布，其第四代及以後的平臺都將相應地被稱為SuperGaN^TM技術。

Transphorm公司SuperGaN系列的第一款通過JEDEC認證的元件是TP65H300G4LSG。這是一顆650V GaN FET，採用PQFN88封裝，導通電阻為240毫歐。第二款SuperGaN元件是TP65H035G4WS，同樣為650V GaN FET，採用TO-247封裝，導通電阻為35毫歐。這些元件目前正處於提供樣品階段，並將分別在第二季和第三季推出。它們的目標應用包括配接器、伺服器、電信、廣泛的工業和可再生能源。系統設計人員可以在Transphorm的4kW無橋式圖騰柱AC-DC評估板TDTTP4000W066C-KIT中評估這項技術。

SuperGaN^TM技術與眾不同之處

在設計第四代產品時，Transphorm的工程團隊借鑒了先前產品生產記錄的經驗，並不斷追求提高性能、可製造性和降低成本，從而設計出歸於至簡又具備實質性改進的新產品。新平臺專利技術的優勢在於增強了Transphorm GaN固有的高性能，簡化了組裝和應用，這將是促成SuperGaN^TM品牌成功的催化劑。

在其專利技術的推動下，SuperGaN Gen IV的優勢包括：

• 提升了性能：第四代產品的效率曲線更平坦、取值更高，其FOM優異度（R_ON * Q_OSS）提高了大約10個百分點。
• 設計更簡單：高工作電流下不再需要使用開關節點緩衝電路，簡化了第四代產品在設計中的應用。
• 增強了抗浪湧電流的能力：消除了半橋中內建續流二極體功能對開關電流的限制。
• 降低了元件成本：第四代產品的設計創新和專利技術同樣簡化了元件的封裝，從而降低了成本，使TransphormGaN的價格更接近於矽電晶體。
• 經過驗證的穩定性/可靠性：第四代35毫歐FET的閘極穩定性和抗擾度與Transphorm第三代元件相同，均為+/- 20 Vmax和4 V。

Transphorm全球技術行銷和北美銷售副總裁Philip Zuk表示：「我們希望Transphorm的SuperGaN^TM FET像矽基超級接面MOSFET的發展一樣，繼續影響下一代電力電子產品。透過提供更出色的性能，並提高使用者的整體投資報酬率，我們的第四代GaN平臺正在其它功率等級上創造新的設計機會。我們能夠在不犧牲可靠性的情況下減少損耗，並將初始設備投資降低到接近使用者之前使用矽基產品時的水準，這表明，GaN在市場上的地位正在強化。」

Transphorm公司致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵[GaN]半導體功率元件。Transphorm持有數量極為龐大的智慧財產權組合，在全球已獲准和等待審核的專利超過1,000多項，是業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的GaN FET的IDM企業之一。歸功於垂直整合的業務模式，Transphorm公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新——包括設計、製造、元件和應用支援。

SuperGaN是Transphorm, Inc.的註冊商標。所有其他商標均為其各自所有者的財產。

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