Kioxia推出QLC UFS 4.1內建式快閃記憶體裝置，賦能高容量行動儲存

第八代BiCS FLASH™技術實現效能與能效雙重提升

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球儲存解決方案領導者Kioxia Corporation今日宣布，已開始提供採用每單元4位元四階式單元(QLC)技術的全新通用快閃記憶體儲存¹ (UFS) 4.1版本內建式記憶裝置樣品。該新品專為讀密集型應用和高容量儲存需求設計，搭載Kioxia第八代BiCS FLASH^TM 3D快閃記憶體技術。

QLC UFS相較傳統TLC UFS具備更高的位元密度，適用於對儲存容量有更高要求的行動應用場景。控制器技術與錯誤更正技術的進步讓QLC技術在實現這一優勢的同時，仍能保持具有競爭力的效能表現。

憑藉這些技術突破，Kioxia新品的效能實現了大幅提升²。相較上一代產品(UFS 4.0 / BiCS FLASH™6 QLC UFS)，Kioxia QLC UFS的連續寫入速度提升25%，隨機讀取速度提升90%，隨機寫入速度提升95%³。寫入放大因數(WAF)也最多提升3.5倍（禁用WriteBooster功能時）。

Kioxia QLC UFS不僅適用於智慧型手機和平板電腦，還支援對容量和效能有更高需求的新興產品品類，包括個人電腦、網路、擴增實境/虛擬實境(AR/VR)、物聯網和AI賦能裝置。

這款全新UFS 4.1裝置提供512GB和1TB兩種容量選擇，採用JEDEC標準封裝，整合了Kioxia先進的BiCS FLASH™ 3D快閃記憶體和內建控制器。Kioxia第八代BiCS FLASH™ 3D快閃記憶體引進了CMOS直接貼合至陣列(CBA)技術——這一架構創新代表快閃記憶體設計的重大飛躍。

核心特性包括：

• 符合UFS 4.1規範。UFS 4.1向後相容UFS 4.0和UFS 3.1。
• 第八代Kioxia BiCS FLASH™ 3D快閃記憶體
• 支援WriteBooster功能，可顯著提升寫入速度
• 封裝尺寸較上一代QLC UFS縮小：從11×13公釐縮減至9×13公釐

相關連結：
Kioxia的UFS 4.1產品頁面

註：
(1)	通用快閃記憶體儲存(UFS)是一類符合JEDEC UFS標準規範的內建式儲存產品。憑藉序列介面，UFS支援全雙工模式，可實現主機處理器與UFS裝置之間的並行讀寫
(2)	依據Kioxia內部測試資料
(3)	512GB產品在啟用WriteBooster功能時的測試結果

- 在每次提及Kioxia產品時：產品密度是根據產品內部儲存晶片的密度確定，而非終端用户可用於資料儲存的記憶體容量。由於存在備援資料區、格式化、壞塊及其他限制，消費者可使用的容量會更少，且可能因主機裝置和應用程式的不同而有所差異。詳情請參考相關產品規格。1KB定義為2^10位元組=1,024位元組。1Gb定義為2^30位元=1,073,741,824位元。1GB定義為2^30位元組=1,073,741,824位元組。1Tb=2^40位元=1,099,511,627,776位元。

- 1 Gbps的計算標準為1,000,000,000位元/秒。讀寫速度為Kioxia在特定測試環境下獲得的最佳值，Kioxia不對單個裝置的讀寫速度做出保證。實際讀寫速度可能因所用裝置及讀寫文件大小而異。

- 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能第三方公司的商標。

關於Kioxia
Kioxia是全球儲存解決方案領域的領軍企業，致力於快閃記憶體和固態硬碟(SSD)的開發、生產和銷售。其前身是Toshiba Memory，於2017年4月從1987年發明了NAND快閃記憶體的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力於透過提供產品、服務和系統來為客戶創造選擇，並為社會創造以儲存技術為基礎的價值，從而提升世界的「記憶」。Kioxia創新的3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™正在塑造儲存技術在高密度應用領域（包括先進智慧型手機、PC、汽車系統、資料中心和生成式AI系統）的未來。

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