トランスフォームがAPEC 2024に出展：低電力から高電力アプリケーション向けのSuperGaNイノベーション

シルバー・イベント・パートナーとして、拡大するGaNデバイス・ポートフォリオと、多用途SuperGaN SiPからゲームチェンジャーとなる2輪と3輪の電気自動車システムまでの最も幅広い低電力から高電力ソリューションに電力を供給する先進性とを展示

カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 堅牢なGaN電力半導体のグローバルリーダーであるトランスフォーム（Nasdaq: TGAN）は、シルバー・パートナーとしてAPEC 2024に出展すると発表しました。広帯域（低電力から高電力）GaN電力変換で引き続きリーダーシップを握っていることが明確に示される機会となります。この指導的役割により、トランスフォームは、GaNの性能優位性を高電力システムメーカーに提供できる数少ないGaN半導体企業の一つとして位置づけられます。2月25日から29日までのイベント期間中、トランスフォームの展示はブース1813で行われます。

今年、トランスフォームは、業界初のサファイア基板上1200V GaNデバイス・モデルや、業界をリードする短絡ロバスト性など、主要な技術革新のマイルストーンを紹介します。また、当社の多用途SuperGaN®デバイス・ポートフォリオも重要な展示となり、TO-247-4L、TOLL、TOLTなど、さまざまなヒートシンク構成を必要とする高出力システム向けの完全・柔軟なパッケージングセレクションとなる最近発表されたパッケージが含まれます。最後に、高性能の無停電電源装置や双方向電源装置から、大変革をもたらす太陽エネルギー・マイクロインバーター、2輪と3輪の電気自動車システムまで、広範囲の画期的な電源システムにおける当社の技術を展示します。

トランスフォームは、競合製品（e-mode GaN、SiC、シリコンなど）を凌駕する優れたGaNソリューションをお客様に提供することが可能で、これは基礎物理学を活用して増強する、将来的に有効なSuperGaNプラットフォームに起因しています。トランスフォームは、ノーマリーオフのdモードGaN技術をカスコードで製造しています。この設計構成により、固有のプラットフォーム現象が最大の潜在能力を発揮することができます。これらの現象には、2DEG GaN HEMTチャンネルとSiO2/Siゲート界面（トランスフォームのGaN HEMTと対をなす低電圧MOSFETによって形成される）が含まれます。当社が最近発表したホワイトペーパーは、これらの利点を概説しており、こちらhttps://bit.ly/dmodeadvwpからダウンロードできます。

電力スペクトルに幅広く対応するワン・コア・プラットフォーム

トランスフォームは、GaN電力半導体のリーディングカンパニーであり、以下の技術で差別化を図っています。

製造性：EPI設計、ウェハプロセス、FETダイ設計を自社で行う垂直統合型。

設計性：ファームウエア（マイクロチップ・テクノロジー）やハードウエア統合（ウェルトレンド・セミコンダクター）で有名な世界的リーダー企業と提携しながら、知名度の高い業界標準のパッケージや高性能パッケージを提供し、容易なデザイン・インを実現。

駆動性：シリコン並みに駆動し、既製品のコントローラーやドライバーと組み合わせながら、外付け回路を最小限に抑えるデバイスを提供。

信頼性：低電力から高電力のアプリケーションにおいて、実稼働で1000億フィールド時間以上にわたり0.05未満の現行のFIT率により業界のけん引役を維持。

トランスフォームは今日、最も広範な電力アプリケーションにおいて、最大範囲の電力変換要件（45W～10kW以上）をサポートしています。当社のFETポートフォリオには、650Vと900Vデバイスが含まれ、1200Vデバイスも開発中です。これらのデバイスはJEDECとAEC-Q101に準拠しており、電源アダプターやコンピューターPSUから広範な産業用UPSや電気自動車モビリティシステムに至るまで、最適なソリューションとなっています。APECで展示される顧客製品の組み合わせは、トランスフォームのSuperGaNプラットフォームが幅広い用途に使用可能であることを明確に示しています。

講演予定

以下のプレゼンテーション内容により、トランスフォームの専門家による講演が行われます。

高電力GaNデバイスとアプリケーション
専門教育セミナー（S17）：2月26日午前8時30分
講演者：Davide Bisi（CTO室技術スタッフメンバー）、Philip Zuk（事業開発・マーケティング担当SVP）、Tushar Dhayagude（ワールドワイドセールス・FAE担当VP）

SuperGaNの特徴：ノーマルオフdモードGaN電力半導体の利点
出展者セミナー：2月27日午後2時15分
講演者：ジェニー・コルテス（テクニカル・セールス・マネージャー）

マイクロインバータとモータドライブ用のGaN 4象限スイッチ技術
産業セッション（IS16.2）：2月28日午後1時55分
講演者：Geetak Gupta（CTO室技術スタッフメンバー）

5μsの短絡耐量を持つ15mΩGaNデバイス
産業セッション（IS22.6）：2月29日午前10時55分
講演者：Davide Bisi博士（CTO室技術スタッフメンバー）

面談をご希望の方へ

展示会期間中にトランスフォームとの面談をご希望の方は、[e-mail]までご連絡ください。

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダーであるトランスフォーム社は、高性能かつ信頼性の高い、高圧電力変換アプリケーション用のGaN系半導体を設計・製造しています。1000を超える所有特許またはライセンス特許を含む最大規模のパワーGaNのIPポートフォリオの1つを有する同社は、業界初の JEDECおよびAEC-Q101認定の高電圧GaN系半導体デバイスを製造しています。また、垂直統合型デバイスビジネスモデルにより、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、あらゆる開発段階でのイノベーションを可能にしています。同社の革新により、パワーエレクトロニクスがシリコンの限界を超え、99%以上の効率、50%高い出力密度、20%のシステムコスト削減を実現します。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、ゴリータと日本の会津に製造拠点を置いています。詳細は、こちらからご覧ください。 www.transphormusa.com . Follow us on Twitter @transphormusa and WeChat at Transphorm_GaN.

SuperGaNのマークは、トランスフォームの登録商標です。その他の商標はすべて、それぞれの所有者に帰属します。

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