Transphorm auf der electronica India 2023: Hochspannungs-SuperGaN-Lösungen steigern die Leistung von Elektrofahrzeugen

Unternehmen präsentiert Onboard-Ladegeräte, E-Bike-Schnellladegeräte, weitere Design-Boards für 2- und 3-Rad-Fahrzeuge, Ladelösungen und Elektroautos

GOLETA, Kalifornien--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), ein weltweit führender Anbieter von robusten GaN-Energiehalbleitern, kündigte heute an, dass seine Displays auf der electronica India die Technologieführerschaft des Unternehmens für die nächste Generation von Stromversorgungssystemen für Elektrofahrzeuge unter Beweis stellen werden. Teilnehmer der Messe können Transphorm während der Veranstaltung vom 13. bis 15. September im Bangalore International Exhibition Centre in Halle 2, Stand E2D31 besuchen.

Mit einem weltweiten, verfügbaren Gesamtmarkt für GaN von (geschätzt) 642 Millionen Dollar im Jahr 2023 ist der Markt für die Mobilität und das Aufladen von Elektrofahrzeugen – von Motorrollern und E-Bikes bis hin zu Auto-Rikschas, Lastwagen und Autos – ein optimaler Industriezweig, um von den Leistungs-, Effizienz- und Preisvorteilen der GaN-Leistungsumwandlung zu profitieren. Die bisher in der Praxis eingesetzten Innovationen und Produkte von Transphorm umfassen eine Vielzahl von „ersten, besten und einzigen“ Errungenschaften sowie eine zukünftige Roadmap, die das Unternehmen als führenden Anbieter von robusten GaN-Bauelementen positioniert, die die Anforderungen von EV-Systemen erfüllen. Zu diesen Errungenschaften zählen:

• Unübertroffene Zuverlässigkeit der Plattform: < 0,05 FIT bei mehr als > 200 Milliarden Betriebsstunden
• Nachweislich 50 % höhere Leistungsdichte mit über 99 % Wirkungsgrad bei 20 % niedrigeren Gesamtsystemkosten
• 650 V SuperGaN^®-Bauelemente, die heute in Kundenanwendungen mit niedriger bis hoher Leistung in der Produktion eingesetzt werden
• Nachgewiesene 5-μs-Kurzschlussfähigkeit und 1200-V-GaN-Technologie in der Entwicklung

Die Vorteile der Elektrofahrzeuganwendungen des Unternehmens werden anhand verschiedener Referenzdesigns und Evaluierungskits vorgestellt. Diese Design-Tools demonstrieren die Vorteile der SuperGaN^®-Plattform für Stromversorgungssysteme, die in 2-Rad-, 3-Rad- und Elektroautos eingesetzt werden, wie z. B. Onboard-/Offboard-Ladegeräte, Batteriewechsel-Ladegeräte, Pol-Ladegeräte und mehr. Zu den wichtigsten Vorführungen gehören:

• 300 W EV CC CV CCM PFC+ LLC Lade-Board
• 750 W Onboard Lade-Board
• 2,2- kW-Schnelllade-Board für E-Bikes
• 2,5 kW Bridgeless Totem Pole PFC-Board
• 3-kW-Wechselrichter-Board
• 4 kW Bridgeless Totem Pole PFC-Board

Ein-Kern-Plattform für das gesamte Leistungsspektrum

Transphorm ist ein führender Anbieter von GaN-Leistungshalbleitern, die sich durch die hohe Herstellbarkeit, die einfache Designbarkeit, die einfache Ansteuerbarkeit und die hohe Zuverlässigkeit seiner Technologie auszeichnen. Das Unternehmen erfüllt heute die umfassendste Palette von Anforderungen an die Leistungsumwandlung (45 W bis 10+ kW) in zahlreichen Energieanwendungen. Das FET-Portfolio von Transphorm umfasst 650-V-Bauteile und 1200-V-Bauteile in der Entwicklung. Diese Bauteile sind JEDEC- und AEC-Q101-qualifiziert und damit optimale Lösungen für Stromadapter und Computernetzteile bis hin zu umfassenden industriellen USV und Mobilitätssystemen für Elektrofahrzeuge.

Treffen Sie uns

Um einen Termin mit Transphorm während der Messe zu vereinbaren, wenden Sie sich bitte an [e-mail] oder besuchen Sie den Transphorm-Stand in Halle 2, Stand E2D31.

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Stromwandlungsanwendungen. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte ermöglicht Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine 50 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.

Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

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