-

铠侠将在北上工厂建造新设施,扩大3D闪存产能

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- (美国商业资讯)--全球领先的内存解决方案供应商铠侠株式会社(Kioxia Corporation)今天宣布,它将在日本岩手县的北上工厂开建一个先进的新生产设施(Fab2),以支持其专有3D闪存BiCS FLASHTM的潜在扩产。该设施计划于2022年4月开始建设,预计将于2023年完工。

新的Fab2设施将利用基于人工智能的尖端制造技术,提高整个北上工厂的生产能力,并进一步提高产品质量,使铠侠能够有机地扩大其业务,并充分利用由云服务、5G、物联网、人工智能、自动驾驶和元宇宙的加速应用所推动的闪存市场的中长期增长趋势。

Fab2设施将建在北上工厂现有Fab1设施的东侧,采用抗震建筑结构和环保设计,利用先进的节能制造设备和可再生能源。铠侠计划用其运营现金流投资于Fab2的建设。

铠侠总裁兼首席执行官Nobuo Hayasaka表示:“Fab2的建设是一个关键的里程碑,它进一步加强了我们对先进内存产品的战略开发和生产能力,从而使我们处于更有利的竞争地位,以满足市场对内存产品不断增长的需求。我们高兴地宣布,Fab2不仅将提高铠侠的生产能力,而且还将成为一个重要基地,践行铠侠为之奋斗的高水平和可持续的未来经营。”

铠侠计划与西部数据公司(Western Digital)进行讨论,将闪存合资企业扩展至Fab2投资。

在其“用内存提升世界”的使命下,铠侠集团专注于制定举措,加强其内存和固态硬盘业务的竞争力。自1987年发明NAND闪存以来,该公司在过去的35年里发展了上述业务。铠侠仍然致力于通过及时的资本投资来创造稳定和可持续的增长,以满足不断增长的市场需求。

关于铠侠

铠侠是全球存储器解决方案领导者,致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘(SSD)。东芝公司于1987年发明了Nand闪存,2017年4月,铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司分拆出来。铠侠致力于通过提供产品、服务和系统,为客户提供选择,为社会创造基于内存的价值,从而用内存提升世界。铠侠创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造诸多高容量应用的未来存储方式,其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心等。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

Kota Yamaji
公共关系部
铠侠控股株式会社
81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

Kioxia Corporation



Contacts

Kota Yamaji
公共关系部
铠侠控股株式会社
81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

More News From Kioxia Corporation

KIOXIA固态硬盘实现与Microchip Adaptec® SmartRAID 4300系列RAID存储加速器的兼容性

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation今日宣布,其2.5英寸KIOXIA CM7系列企业级PCIe®5.0 NVMe™ 2.0固态硬盘、KIOXIA CD8P系列数据中心PCIe 5.0 NVMe 2.0固态硬盘,以及KIOXIA CD8系列数据中心PCIe 4.0 NVMe 1.4固态硬盘已成功完成与Microchip Technology Inc.的Adaptec® SmartRAID 4300系列RAID存储加速卡的兼容性及互操作性测试。 Adaptec SmartRAID 4300加速器最多可支持32个NVMe固态硬盘,并且每个硬盘都通过其专用通道直接连接到CPU。这一设计消除了传统单一x16主机接口常见的PCIe瓶颈,使得每个固态硬盘都能以峰值性能运行。这一创新架构提供了卓越的吞吐量和IOPS,使其成为数据密集型企业应用的理想解决方案。下一代数据中心基础设施的成功,依赖于整个生态系统的协作与互操作性,以确保现有与未来技术能够实现无缝集成。 Microchip名称和Adaptec是Microchip Technolo...

KIOXIA AiSAQ™技术已集成至Milvus向量数据库

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation今日宣布,其近似最近邻搜索(ANNS)软件技术KIOXIA AiSAQ™已从Milvus 2.6.4版本起正式集成到这款开源向量数据库中。通过此次集成,Milvus用户可充分利用KIOXIA AiSAQ™经SSD优化的向量搜索能力,为开发者和企业提供一条实用且经济高效的AI应用扩展路径,无需面对大规模向量搜索通常伴随的DRAM内存扩容难题。 AI行业正从构建大规模基础模型,转向部署可扩展、高性价比的推理解决方案以应对现实世界挑战。检索增强生成(RAG)是这一转型的核心,而KIOXIA AiSAQ™技术的研发初衷,就是帮助社区利用基于SSD的向量架构。其融入Milvus生态系统后,不仅降低了开源社区的采用门槛,还能支持开发者打造更快、更高效的AI应用。 KIOXIA AiSAQ™于今年早些时候首次发布,是一款开源软件技术,通过将所有与RAG相关的数据库元素存储在SSD上,大幅提升向量可扩展性*1。随着DRAM可扩展性成为海量推理和RAG工作负载的关键瓶颈,KIOXIA AiSAQ™技术实现...

Kioxia研发核心技术,助力高密度低功耗3D DRAM的实际应用

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领域的领军企业Kioxia Corporation今日宣布,已研发出具备高堆叠性的氧化物半导体沟道晶体管技术,该技术将推动高密度、低功耗3D DRAM的实际应用。这项技术已于12月10日在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会(IEDM)上亮相,有望降低AI服务器和物联网组件等众多应用场景的功耗。 在AI时代,市场对于具备更大容量、更低功耗、可处理海量数据的DRAM的需求持续攀升。传统DRAM技术在存储单元尺寸微缩方面已逼近物理极限,业界因此开始研究存储单元的3D堆叠技术,以此拓展存储容量。传统DRAM采用单晶硅作为堆叠存储单元中晶体管的沟道材料,这种方式会推高制造成本,同时存储单元的刷新功耗还会随存储容量的增加而成正比上升。 在去年的IEDM上,我们宣布研发出氧化物半导体沟道晶体管DRAM (OCTRAM)技术,该技术使用由氧化物半导体材料制成的垂直晶体管。在今年的大会展示中,我们推出了可实现OCTRAM 3D堆叠的高堆叠性氧化物半导体沟道晶体管技术,并完成了8层晶体管堆叠结构的功能验证。 这项新技术将...
Back to Newsroom