TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kyoto Semiconductor Co., Ltd. (sede centrale a Kyoto, in Giappone) ha sviluppato un fotodiodo KP-H KPDEH12L-CC1C ad alta velocità per supportare i sistemi di trasmissione a 400 Gbps che utilizzano la modulazione dell’ampiezza degli impulsi a 4 livelli (Pulse Amplitude Modulation, PAM4) all’interno e tra più centri dati. Con l’introduzione di questo fotodiodo InGaAs (indio-gallio-arseniuro), la società si allinea continuamente ai requisiti di una crescente capacità e velocità dei sistemi di trasmissione delle reti 5G e oltre. La produzione su larga scala verrà avviata a novembre 2020.
Caratteristiche principali del fotodiodo KP-H KPDEH12L-CC1C
(1) Alta velocità
Le dimensioni del supporto (carrier) su cui è montato il fotodiodo, così come la larghezza e la lunghezza della griglia di posizionamento degli elettrodi ad alta frequenza sul carrier, sono state ottimizzate utilizzando una simulazione elettromagnetica (Nota 2).
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