Das Referenzdesign-Portfolio von Transphorm gibt den Startschuss für die Entwicklung von USB-C-PD-GaN-Stromadaptern

Sieben intern und im Rahmen von Partnerschaften entwickelte Entwicklungs-Tools nutzen die Vorteile von Leistungsstarken 650V-GaN-FETs für Adapter von 45W bis 140W

GOLETA, Kalifornien (USA)--()--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) – ein Vorreiter und weltweiter Lieferant von hochzuverlässigen, leistungsstarken Galliumnitrid-Stromwandlerprodukten (GaN) – gab heute die Verfügbarkeit von sieben Referenzdesigns bekannt, die die Entwicklung von GaN-basierten USB-C-PD-Stromadaptern beschleunigen sollen. Das Portfolio umfasst eine breite Palette von Open-Frame-Designoptionen mit verschiedenen Topologien, Ausgangsleistungen und Wattzahlen (45 W bis 140 W), aus denen Sie wählen können.

SuperGaN® Technology Difference
Die Referenzdesigns für die Stromadapter verwenden die SuperGaN Gen IV 650V FETs und liefern die einfache Konstruktion, hohe Zuverlässigkeit und hohe Leistung, die zum Synonym für Transphorm-GaN-Bauteile geworden sind. In einer kürzlich erfolgten Analyse zeigte der SuperGaN-FET von Transphorm mit 240 mOhm im Vergleich zu einem E-Mode-GaN-Bauelement mit 175 mOhm einen geringeren Anstieg des Widerstandes bei Temperaturen über 75 °C und eine höhere Leistung bei 50 Prozent und 100 Prozent (voller) Leistung.

Weitere Einzelheiten zum Vergleich zwischen den beiden GaN-Lösungen finden Sie hier.

Power Adapter Referenzdesigns
Das Portfolio von Transphorm umfasst fünf Open-Frame-USB-C-PD-Referenzdesigns mit einer Frequenz von 140 bis 300 kHz. So entwickelte Transphorm beispielsweise in Zusammenarbeit mit Silanna Semiconductor ein 65W-Active Clamp Flyback-RD (ACF), das bei 140 kHz läuft und einen Spitzenwirkungsgrad von 94,5 Prozent aufweist.

  • (1x) 45W-Adapter-RD bietet 24 W/in3 Leistungsdichte in einer quasi-resonanten Flyback-Topologie (QRF)
  • (3x) 65W-Adapter-RDs bieten 30 W/in3 Leistungsdichte in ACF- oder QRF-Topologien
  • (1x) 100W-Adapter-RD bietet 18 W/in3 Leistungsdichte in einer Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)+QRF-Topologie

Das Portfolio von Transphorm umfasst außerdem zwei Open Frame USB-C PD/PPS-Referenzdesigns mit einer Frequenz von 110 bis 140 kHz. Für beide Lösungen hat Transphorm mit Diodes Inc. zusammengearbeitet und den ACF-Controller des Unternehmens eingesetzt, um einen Spitzenwirkungsgrad von über 93,5 Prozent zu erreichen.

  • (1x) 65W-Adapter-RD bietet 29 W/in3 Leistungsdichte in einer ACF-Topologie
  • (1x) 140W-Adapter-RD bietet 20 W/in3 Leistungsdichte in einer PFC+ACF-Topologie

Transphorm ist insofern einzigartig, als es das einzige Portfolio von GaN-FETs anbietet, das den größten Leistungsbereich für die unterschiedlichsten Anwendungen abdeckt“, sagte Tushar Dhayagude, VP, Field Applications & Technical Sales, Transphorm. „Unsere Referenzdesigns für Stromadapter zeigen unsere Fähigkeiten im Bereich der geringen Leistungsaufnahme. Wir bieten controllerunabhängige PQFN- und TO-220-Bauteile an, die das Design drastisch vereinfachen können. Diese und andere Eigenschaften ermöglichen es unseren Kunden, schnell und einfach eine GaN-Lösung auf den Markt zu bringen, die eine wegweisende Leistungseffizienz aufweist. Das ist es, worum es bei GaN von Transphorm geht.“

Das aktuelle Referenzdesign-Portfolio für Stromadapter finden Sie hier.

Über Transphorm
Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Stromwandlungsanwendungen. Mit einem der größten Portfolios an geistigem Eigentum im Bereich Energie-GaN von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-zertifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das vertikal integrierte Geräte-Geschäftsmodell des Unternehmens ermöglicht Innovation in jeder Entwicklungsphase: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungssupport. Die Innovationen von Transphorm führen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, 40 % mehr Energiedichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und verfügt über Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.

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Ansprechpartnerin Presse:
Heather Ailara
211 Communications
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