幅広い電源ポートフォリオ向けTransphorm GaNを使用したシーソニックの新型高効率1.6 kWプラットフォーム

充電器やカタログPC、サーバー、ゲーミング電源用に力率改善効率99%を実現するプラットフォーム の実現

米国カリフォルニア州ゴリータ発--()--(ビジネスワイヤ)― JEDECおよびAEC-Q101に初めて準拠した高信頼性窒化ガリウム(GaN)半導体の設計・製造のリーダーであるTransphorm Inc.は本日、シーソニックエレクトロニクス株式会社が自社の新型1600ワット(W)ブリッジレストーテムポール力率改善(PFC)プラットフォーム1600TにTransphormの高電圧(HV)GaN FETを使用することを発表しました。1600Tはシーソニックの最高性能PFCプラットフォームで、効率は99%超です。特に、GaNを導入したことで、シーソニックの従来のシリコン系プラットフォームと比較して効率が2%、パワー密度が20%向上しました。

1600Tプラットフォームは充電器(電子スクーター用、産業用など)、ゲーミング、サーバー、PC向けの電源市場をターゲットに、さまざまなカタログ製品に合わせてスケーリングや配備が可能です。

「世界トップレベルの効率の達成を実現する半導体技術の研究を行い、シリコンの代替として窒化ガリウムが卓越したものであることがわかりました」と、シーソニックの研究開発担当重役Paul Linは述べています。「シーソニック初の高電圧GaN電源プラットフォームに使用するトポロジーとしてブリッジレストーテムポールPFCの採用は決まっていました。そこで、そのトポロジーを活用できるパワー半導体が必要だったのです。また、シーソニックの標準保証ができるGaNソリューションを求めていました。最終的に1600Tには、このような要求に応え、確かな性能と信頼性を備えたTransphormのFETを選びました。」

TransphormのQ+Rで自信を持って設計

1600Tプラットフォームは、標準TO-247パッケージでRDS(on)が35 mΩのTransphorm製650 V GaN FETTP65H035WSデバイスを採用しています。このトランジスタはハードスイッチとソフトスイッチのいずれの回路でも効率改善を可能にし、製品を設計する電源システム技術者はより多くの選択肢を得られます。さらに、TP65H035WSは一般的なゲートドライバと組み合わせることができ、コスト管理が容易になるとともに設計を簡素化できます。

Transphormは、GaNプラットフォームやFETの開発において品質と信頼性(Q+R)を重視します。Q+R重視により、設計者は安全性の向上というメリットが得られます。TransphormのGaNは通常、他のGaN FETと比較して設計余裕があり、ノイズ耐性も高くなります。TP65H035WSの代表的ゲート閾値は4 Vで最大ゲート電圧±20 Vです。

GaNが高電圧用途でより活用される目的で、Transphormではテクノロジーそのものに加え、綿密なアプリケーションサポートや実地トレーニングを提供しています。シーソニックはTransphormのエキスパート環境を最大限に活用し、製品化に要する時間を短縮しつつ設計そのものも最適化することができました。

たとえば、シーソニックのチームはTransphormのアドバイスにより、単純な低コストのデジタルシグナルプロセッサ(DSP)を使用してトーテムポールPFCを制御しています。Transphormは、プラットフォームの部品の選定やシステムのレイアウトについてもサポートし、最適なGaN性能を引き出しています。最終的には、共同開発により、シーソニック製品の熱効率向上と出力増大の両立が可能になり、シーソニックのビジョンを実現するHV GaNプラットフォームを作成することができました。

シーソニックエレクトロニクスについて

シーソニックは真のグローバル企業です。台湾の台北に本社を置き、製品を中国の工場から米国、欧州、日本その他世界各地の事業所に輸出しています。シーソニックはイノベーションのリーダーとして、市場をリードする性能と高信頼性を備えた最先端機能を必要とするあらゆるお客様に最新技術を最適価格で提供することに主眼を置いています。IT業界の競争は激しく常に挑戦の連続ですが、だからこそシーソニックは常にトップであり続けようという意志を強く持っています。今、シーソニックと言えば高性能、卓越、信頼性を意味します。シーソニックの設計技術チームは、お客様のニーズに応え、最新の市場トレンドにつながる新たなソリューションの創造に熱意を持って当たります。

Transphormについて

Transphorm(transphormusa.com)は、高電圧電力変換用途向けの高性能・高信頼性GaN半導体の設計、製造、販売を行う会社です。最大レベルのパワーGaN IPポートフォリオ(交付済みまたは係属の特許は世界で1000超)を持つTransphormは、業界で唯一JEDECおよびAEC-Q101に準拠したGaN FETを生産しています。これは、材料およびデバイスの設計・製作から製造、パッケージング、基準回路設計、適用サポートに至るまであらゆる段階でイノベーションを可能にする垂直統合ビジネスアプローチによるものです。

Contacts

Crimson Communicates
Heather Ailara, 845.424.6341
heather@crimsoncom.com

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