Transphorm bringt GaN-Referenzdesign mit brückenloser 3,3-kW-Hochspannungs-Totempfahl-Leistungsfaktorkorrektur auf den Markt

Entwicklung von AC-DC-Stromsystem für Server-, Automobil- und Industrieanwendungen erleichtert

GOLETA, Calif.--()--Transphorm Inc. hat heute das erste vollständige 3,3-Kilowatt-Referenzdesign mit brückenloser Totempfahl-Leistungsfaktorkorrektur (PFC, Power Factor Correction) mit Blindleistungskompensation (Continuous Conduction Mode, CCM) für Galliumnitrid(GaN)-Stromsysteme mit Hochspannung (High-Voltage, HV) auf den Markt gebracht. Der technische Blueprint wird zur Entwicklung von AC-DC-Anwendungen genutzt:

  • Hochwertige Frontend-PFCs für gewerblich genutzte Netzgeräte (Server, Gaming, Crypto-Mining und ähnliche Anwendungen mit hoher kW-Leistung und Dichte)
  • Bordladegeräte für Plug-in-Hybride (PHEV) und batterieelektrische Fahrzeuge (Battery Electric Vehicles, BEV)
  • Allgemeine Netzgeräte für die Industrie

Laden Sie sich das TDTTP3300-RD-Referenzdesign hier herunter.

Hocheffiziente Produkte, minimale Expertise erforderlich

Transphorm konzipiert und fertigt die 650 V GaN-Plattform mit höchster Qualität und Zuverlässigkeit, aus der die einzigen erhältlichen JEDEC- und AEC-Q101-HV-GaN-Transistoren hervorgehen. Das Referenzdesign liefert eine Effizienz von 99 Prozent mit Transphorms 650 V GaN FET-Technologie der dritten Generation (TP65H050WS – 50 mΩ-An-Widerstand) im von der Industrie bevorzugten, stabilen TO-247-Powerpaket.

TDTTP3300-RD verfügt über sämtliche Ressourcen, die für die schnelle Entwicklung von Produkten erforderlich sind, ohne dass umfangreiche Expertise mit GaN-Design oder DSP-Firmware-Coding erforderlich ist:

  • Testbericht
  • Hardware-Designleitfaden
  • Firmware-Designleitfaden (mit Firmware zum Download)
  • Design-Schaltbilder und Gerber-Dateien
  • Materialliste

„Wie an unseren Endprodukten für die Kunden zu ersehen ist, können die High-Q-R-Geräte von Transphorm nachweislich das halten, was schon immer das Versprechen von Hochspannungs-GaN war: Erhöhte Leistungsdichte, Effizienz und Leistung bei geringeren Betriebskosten“, sagte Philip Zuk, Vice President für Technisches Marketing bei Transphorm. „Wir unterstützen Designer jetzt dabei, schnell aus diesen Vorteilen Profit zu schlagen, indem sie Lücken bei ihren Design-Kenntnissen schließen. Mit unserem 3,3-kW-Referenzdesign rüsten wir die Branche mit einem Fahrplan aus, dessen Erstellung mehrere Jahre gedauert hat. Wir sind gespannt darauf, welche Systeminnovationen auf dieser GaN-Grundlage aufgebaut werden.“

         
TDTTP3300-RD-Funktion           Vorteil
TP65H050WS GaN FET           Hohe Gate-Stabilität: ±20 VGS(max.)

Hohe Störfestigkeit: 4,0 VTH

Auf DSP-Firmware basierende Zustandsmaschine           Ermöglicht einen voll funktionsfähigen Konverter mit vordefinierten Betriebszuständen.
TMS320F28335-DSP-Motherboard-Integration          

Bekannte Entwicklungs-Tools

Programmierbare Betriebsparameter           Benutzerdefinierte Schaltfrequenz, Softstart, Störgrenzen usw.
Störungsbearbeitung           VIN/VOUT-Überspannung, OCP, OTP, Latch-off oder programmierbare Restart-Timer usw.
Interne Hilfsstromquelle           Externe Versorgung fällt weg, liefert Energie in der zweiten Phase.
Angewandte elektromagnetische Interferenzsteuerung           Erste EMI-Norm über Schaltplatten-Layout und bewährte Designtechniken realisiert
 

Willkommen bei der GaN-Revolution!

Transphorm konstruiert, fertigt und verkauft GaN-Halbleiter mit höchster Leistung und Zuverlässigkeit für Stromwandlungsanwendungen mit Hochspannung. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios (über 1000 erteilte Patente und anhängige Patente weltweit) ist Transphorm das einzige Unternehmen der Branche, das JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierte GaN-FETs produziert. Dies beruht auf dem vertikal integrierten Geschäftsansatz, der Innovationen in jeder Phase der Entwicklung zulässt: Design und Herstellung von Materialien und Geräten, Fertigung, Verpackung, Referenzschaltungs-Designs und Anwendungsunterstützung. Transphorm: Leistungselektronik, die die Grenzen des Siliziums überwindet. Website: transphormusa.com Twitter: @transphormusa

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

Contacts

Crimson Communicates
Heather Ailara, 845.424.6341
heather@crimsoncom.com

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