ファラデー社 インフィニオン社のSONOS eFlash技術を採用したIoT用途向けAriel™ SoC プラットフォームを投入

台湾・新竹--()--(ビジネスワイヤ) -- 最先端ASIC設計サービス及びIPを提供するファラデーテクノロジー社(TWSE:3035)は本日、次世代IoT SoC開発プラットフォームAriel™を発表しました。Arielは、UMCの40nm uLPロジックプロセスをベースに設計されており、インフォニオン社のSONOS e-Flash技術を採用しています。Arielプラットフォームは先行する55nm Uranus+™プラットフォームよりも消費電力を35%削減しており、AIoT、IIoT、スマートグリッド、ウエアラブル端末、ポータブル機器で使用するSoC設計において、これまでにない低消費電力を実現可能です。

ファラデー社のArielプラットフォームは、ARM社のCortex-M4コア、1MBのフラッシュメモリ、USB OTG、12ビットADC、10ビットDAC、セキュリティー機能そして包括的なSDKサポートを特徴としています。さらに、低消費電力と高性能の相反する機能の実現のためにDVFS機能を実装しています。組み込みシステムに要求される超低消費電力要件を実現するために、低電力IPソリューションも採用しています。インフィニオン社のSONOS e-Flash技術の採用により、他のe-Flashソリューションに比べてはるかに少ない追加マスクレイヤー数のメリットによってウエハーコストと製造サイクルタイムの削減を実現しています。

インフィニオン テクノロジーズLLCメモリソリューション責任者であるサム・ゲーハ氏は、次のように述べています。「当社は、ファラデー社と協力し、Ariel SoCプラットフォームに当社のSONOS e-Flashを提供できることをうれしく思います。40nm uLP SONOSプロセスは、すでに多数の量産実績を積み重ねています。また、その優れた性能と市場投入期間の短縮という利点によって、ファラデー社のお客さまがIoT/MCU関連の幅広い製品の開発に活用可能になると期待しています。」

ファラデー社の最高執行責任者(COO)であるフラッシュ・リンは、次のように述べています。「インフィニオン社のSONOSは、高い費用効果を利点とする組み込みフラッシュメモリーを実現するための有効な手法となります。ファラデー社は、当社の新しいArielプラットフォームにインフィニオン社のSONOS e-Flashを導入することで、お客さまの次世代IoT SoC設計の超低消費電力・高性能というニーズに応える最先端のソリューションを提供できることをうれしく思います。」

ファラデー社のSoC開発プラットフォームArielの詳細については、www.faraday-tech.comをご覧ください。

ファラデー社の御紹介

ファラデーテクノロジー社(TWSE: 3035)は先進のファブレスASICおよびシリコンIPのプロバイダーです。なお、ファラデー社は、ISO 9001及びISO 26262の認証を取得済です。当社の幅広いIPポートフォリオにはI/O、セル・ライブラリ、メモリ・コンパイラ、ARM互換CPU、LPDDR4/4X、DDR4/3、MIPI D-PHY、V-by-One、USB 3.1/2.0、10/100イーサネット、ギガビット・イーサネット、SATA3/2、PCIe Gen4/3及びプログラマブル28G SerDesなどが含まれます。台湾に本社を置くファラデー社は、米国、日本と中国を含む世界にサービスおよび技術サポートの拠点を持っています。詳細は下記にアクセスしてご確認ください。www.faraday-tech.com

本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。

Contacts

Press Contact: Faraday Tech, Evan Ke, +886 3 578 7888 ext. 88689, evan@faraday-tech.com

Contacts

Press Contact: Faraday Tech, Evan Ke, +886 3 578 7888 ext. 88689, evan@faraday-tech.com