GOLETA, Californie--(BUSINESS WIRE)--Transphorm Inc., le leader dans la conception et la fabrication des premiers et des plus fiables semi-conducteurs au nitrure de gallium (GaN) 650 V qualifiés JEDEC et AEC-Q101, a révélé avoir livré plus de 250 000 transistors à effet de champ (Field Effect Transistor, FET) GaN haute tension. Utilisés dans les applications de production de masse des clients, les appareils sont fabriqués par la société dans sa fonderie de plaquettes à Aizu, au Japon.
Transphorm a également déclaré que l’on pouvait facilement augmenter la capacité installée annuelle de sa fonderie de plaquettes : d’une base existante en équivalent produit de 15 millions de pièces de son produit populaire de 50 mohm, cette capacité peut traiter de 2 à 5 fois plus de volume. En outre, lorsque la demande le justifie, la technologie et le processus de fabrication peuvent être structurés de manière à s’adapter aux plaquettes actuelles de 6 à 8 pouces, ou même potentiellement plus grandes.
« 2018 a été une année charnière pour les GaN haute tension », a déclaré Primit Parikh, cofondateur et directeur de l’exploitation chez Transphorm. « Plus de 250 000 FET GaN 650 V de Transphorm sont déployés dans nos produits de fabrication en série, nos onduleurs, et nos convertisseurs de puissance haute performance. Ces produits sont disponibles via différents canaux. Et même via Amazon. Avec nos volumes de production tels qu’ils existent à ce jour, nous sommes en mesure d’estimer de manière prudente plus de 1,3 milliard d’heures de fonctionnement avec un taux FIT de terrain dans les petits chiffres et un milliard d’heures de temps moyen avant défaillance, dans des conditions de fonctionnement extrêmes, selon une série de tests de fiabilité opérationnelle et accélérée. »
Transphorm est le premier fournisseur de FET GaN haute tension à publier des données sur les défaillances sur le terrain des périphériques livrés. Ces données sont utilisées pour calculer le taux de défaillance sur le terrain en parties par million (ppm) et de défaillance dans le temps (failure in time, FIT), ce qui montre la fiabilité de la technologie. La disponibilité des données de terrain est une nouvelle phase importante pour le GaN haute tension dans les systèmes électriques, car ces données indiquent une technologie en pleine maturation.
En l’état actuel, la trajectoire proposée par le marché est positive. La société de conseil en stratégie et études de marché Yole Développement (Yole) indique que, dans un scénario agressif, le marché du GaN électrique devrait atteindre 408 millions USD d’ici 2023, avec un TCAC de 91 %.1 Les applications haute tension qui devraient générer cette croissance comprennent les chargeurs rapides, les centres de données et autres sources d’alimentations haut de gamme.
Étayant cette recherche, les clients visés par la production de Transphorm occupent les segments de croissance référencés par Yole, en plus d’autres, tels que notamment : Alimentations pour jeux PC [CORSAIR] ; Alimentations de serveur [Bel Power, Delta] ; Servomoteurs [Yaskawa] ; Alimentation portative [Inergy/Telcodium]. La commercialisation de GaN a beaucoup progressé particulièrement en 2018, avec Nexperia exprimant son intention de commercialiser des FET GaN de 600 V et plus et l’introduction par Infineon de son portefeuille 600 V.
« Les points de repère essentiels de l’acceptation commerciale de toute nouvelle technologie sont l’adoption par des clients leaders dans des segments de marché clés et l’émergence de nombreux fournisseurs puissants capables de prendre en charge les rampes de volumes élevés qui en découlent », a ajouté Mario Rivas, PDG de Transphorm. « Nous sommes ravis des résultats obtenus par Transphorm en partenariat avec nos clients, mais nous sommes encore plus heureux de voir des leaders dans le domaine des semi-conducteurs de puissance haute tension tels que Nexperia et Infineon rejoindre la révolution GaN. En termes d’économie énergétique, les clients peuvent désormais bénéficier des avantages de GaN, et avoir une confiance accrue en leurs fournisseurs. »
Un aperçu de la méthodologie utilisée par Transphorm pour évaluer les défaillances précoces est détaillé dans le document suivant : High Voltage GaN Switch Reliability. Le portefeuille de produits GaN est disponible à l’adresse : https://www.transphormusa.com/en/products/.
À propos de Transphorm
Transphorm amène l’électronique de puissance au-delà des limites du silicium. La société conçoit, fabrique et commercialise les semi-conducteurs GaN les plus performants et les plus fiables pour les applications de conversion de puissance à haute tension. Transphorm, qui possède l’un des plus importants portefeuilles IP Power GaN (plus de 1 000 brevets déjà émis ou en instance dans le monde entier), produit les seuls FET GaN certifiés JEDEC et AEC-Q101, du secteur. Cela grâce à une approche à intégration verticale permettant d’innover à chaque stade du développement : matériaux, conception et fabrication des dispositifs, fabrication, emballage, conceptions circuit de référence et prise en charge d’applications. Site Web : transphormusa.com Twitter : @transphormusa
1 Power GaN 2018 : Epitaxy, Devices, Applications, and Technology Trends report, Yole Développement, 2018.
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