TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Die Toshiba Memory Corporation, Weltmarktführer bei Speicherlösungen, gab heute die Entwicklung des ersten drei-dimensionalen (3D) Flash-Speichers [1] BiCS FLASH™[2] mit Silicium-Durchkontaktierungs- (Through Silicon Via, TSV)[3] und 3-Bit-pro-Zelle-Technologie (Triple-Level Cell, TLC) bekannt. Der Versand von Prototypen für Entwicklungszwecke startete im Juni. Die Auslieferung von Produktmustern ist für die zweite Hälfte des Jahres 2017 vorgesehen. Der Prototyp dieses bahnbrechenden Speichers wird auf dem Flash Memory Summit 2017 in Santa Clara, Kalifornien, USA, vom 7.-10. August zu sehen sein.
Bei mit TSV-Technologie hergestellten Speichern werden die vertikalen Elektroden und Vias zur Passage durch die Silikonchips zum Anschluss verwendet. Diese Architektur bietet hohe Daten-In- und Outputgeschwindigkeit bei gleichzeitiger Reduzierung des Energieverbrauchs. Die praktische Leistungsfähigkeit wurde kürzlich mit der Einführung des 2D NAND Flash-Speichers[4] von Toshiba bewiesen.
Durch die Kombination eines 48-schichtigen 3D-Flash-Verfahrens mit der TSV-Technologie ist es der Toshiba Memory Corporation gelungen, die Bandbreite zur Produktprogrammierung zu erhöhen und gleichzeitig den Energieverbrauch zu senken. Die Energieeffizienz[5] eines einzelnen Pakets ist ungefähr doppelt[6] so hoch wie diejenige des mit Kupferdraht-Technologie hergestellten BiCS FLASH™-Speichers der gleichen Generation. Der TSV BiCS FLASH™ ermöglicht auch ein 1-Terabyte-Produkt mit einer 16-die-stacked-Architektur in einem einzigen Paket.
Die Toshiba Memory Corporation wird den BiCS FLASH™ mit TSV-Technologie vermarkten, um eine ideale Lösung für Speicheranwendungen zu bieten, die eine niedrige Latenzzeit, hohe Bandbreite und hohe IOPS[7]/Watt einschließlich moderner Enterprise-SSDs (Solid State-Laufwerke) benötigen.
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Technische Daten (Prototyp) |
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| Pakettyp | NAND Dual x8 BGA-152 | |||||||
| Speicherkapazität | 512 GB | 1 TB | ||||||
| Zahl der Stapel | 8 | 16 | ||||||
| Äußere Maße | Breite | 14 mm | 14 mm | |||||
| D | 18 mm | 18 mm | ||||||
| H | 1,35 mm | 1,85 mm | ||||||
| Schnittstelle | Toggle DDR | |||||||
| Schnittstelle max. Geschwindigkeit | 1066Mbps | |||||||
Hinweis:
[1] Quelle: Toshiba Memory Corporation, 11. Juli 2017.
[2]
Eine Struktur aus vertikal auf Silikonsubstrat gestapelten Flash
Memory-Zellen zur Erzielung bedeutender Dichteverbesserungen im
Vergleich zum planaren NAND Flash-Speicher, bei dem die Zellen auf dem
Silikonsubstrat gebildet werden.
[3] Through Silicon Via:
Technologie mit vertikalen Elektroden und Vias zur Passage durch die
Silikonchips zum Anschluss in einem einzigen Paket.
[4] „Toshiba
entwickelt den ersten 16-die-stacked NAND Flash-Speicher mit
TSV-Technologie”
http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2015/08/memory-20150806-1.html
[5]
Datenübertragungsrate pro Energieeinheit. (MB/s/W)
[6] Verglichen
mit den aktuellen Produkten der Toshiba Memory Corporation.
[7]
Input Output pro Sekunde: Anzahl der Daten-In- und Outputs zur
Verarbeitung über einen I/O-Port pro Sekunde. Ein höherer Wert
repräsentiert bessere Leistung.
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