东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--存储器解决方案全球领导者东芝存储器公司今日宣布开发出世界首款[1]采用堆叠式结构的BiCS FLASH™三维(3D)闪存[2]。最新的BiCS FLASH™设备是首款采用4位元（四阶存储单元，QLC）技术的闪存设备，该技术使闪存设备的存储容量较3位元(TLC)设备进一步提高并推动了闪存技术创新。
多位元内存通过管理每个独立存储单元中的电子数目来存储数据。实现QLC技术带来一系列技术挑战，在相同电子数目下位元数目每增加一个，需要两倍于TLC技术的精度。东芝存储器公司利用其先进的电路设计能力和行业领先的64层3D闪存工艺技术，创造出QLC 3D闪存。
该原型机采用64层3D闪存工艺技术，具有世界最大的裸芯片容量[3]（768千兆比特/96 GB）。原型机已于6月初发往固态硬盘和固态硬盘控制器厂商处进行评价和开发。
QLC 3D闪存还在单一封装内实现了具有16颗粒堆叠式结构的1.5TB存储设备，这是业界最大存储容量[4]。这一开创性设备的样品将于8月7-10日在美国加州圣克拉拉举行的2017年闪存峰会上亮相。
东芝存储器公司已经实现64层256千兆比特（32 GB）设备的批量生产，随着批量生产的扩张，公司将继续通过推动技术发展来展示公司的行业领导力。该新QLC设备专注于满足市场对高密度、芯片尺寸更小的闪存解决方案日益增长的需求，主要面向企业级SSD、消费级SSD和存储卡等应用。
注：
1.数据来源：东芝存储器公司，截至2017年6月28日。
2.一种在硅基板上垂直堆叠闪存存储单元的结构，相比平面NAND闪存（存储单元位于硅基板上），其极大地提高了密度。
3.数据来源：东芝存储器公司，截至2017年6月28日。
4.数据来源：东芝存储器公司，截至2017年6月28日。
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