MONACO, Germania--(BUSINESS WIRE)--Panasonic Corporation ha reso noto in data odierna che inizierà la produzione di massa di un gate driver ad alta velocità (AN34092B) ottimizzato per il funzionamento dei propri transistor di potenza GaN X-GaN nel mese di novembre 2016. La società avvierà anche la produzione di massa di due tipi di X-GaN (PGA26E07BA e PGA26E19BA) e proporrà soluzioni abbinate ai gate driver ad alta velocità.
Il GaN è tra i materiali compositi per semiconduttori in grado di consentire risparmio di spazio ed energia se applicato ai transistor utilizzati nelle varie unità di potenza.
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