东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO:6502)今日宣布其研发了被称作BiCS的全球首款48层*1 3D堆叠式结构闪存*2，该闪存为每单元容量2位128-gigabit (16G)设备。采用新工艺技术制造的产品样品发货即日启动。
该BiCS基于最尖端的48层层叠工艺，该工艺提高写入/擦除次数可靠性并提高写入速度，其应用范围广泛，尤其适用于固态硬盘(SSD)。
自全球首推3D闪存*3技术以来，东芝一直继续致力于优化大批量生产的研发。为满足2016年及以后市场的长足发展需求，东芝将推出主要瞄准大容量应用领域（如SSD）的产品组合，以此积极促进向3D闪存的过渡。
该公司还在其NAND闪存生产基地——四日市业务部(Yokkaichi Operations)为新晶圆厂(Fab2)的大批量生产做准备。Fab2目前在建，将于2016年上半年完工，以便满足日益增长的闪存需求。
*1：截至2015年3月26日。东芝调查。
*2：一种在硅平面垂直方向堆叠闪存存储单元的结构，相比传统NAND闪存（存储单元在硅平面上以平面方向排列），其极大地提高了密度。
*3：东芝发布会，2007年6月12日。
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