TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO : 6502) a lancé un MOSFET de puissance à faible résistance ; il s’agit de l’ajout le plus récent à sa gamme de packages TO-220SIS pour les applications automobiles. Le nouveau produit « TK80A04K3L » permet également d’obtenir un faible courant de fuite et garantit un fonctionnement à 175°C. Même s’il est principalement adapté aux applications automobiles, il peut également être utilisé pour les commandes moteur et les régulateurs de commutation.
| Polarité | Numéro de pièce |
Tension drain-source |
Courant de drain |
Série | ||||
| Nch | TK80A04K3L | 40 | 80 | U-MOS IV | ||||
| Fonctionnalités principales | ||
| 1. | Faible résistance à l’état passant (VGS=10 V) | |
| RDS(ON) = 1,9 mΩ(typ.) | ||
| 2. | Faible courant de fuite IDSS=1 0μA(max) (VDS= tension nominale) | |
| 3. | Tch = 175°C garanti | |
| 4. | Ensemble TO-220SIS de type insertion au plomb | |
*Veuillez cliquer sur ce lien pour en savoir plus sur ce produit.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1267638_2470.html
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À propos de Toshiba
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