Teledyne e2v HiRel Presenta Dos HEMT de GaN, de Alta Potencia, para su Familia de 650 V

Los HEMT de GaN, de alto voltaje, para aplicaciones de alta rel ahora están disponibles en versiones de corriente más baja de 15 A y de 30 A

MILPITAS, California--()--Teledyne e2v HiRel agrega dos nuevos HEMT de potencia de GaN reforzados (transistores de alta movilidad de electrones) a su familia de productos de alta potencia líderes en la industria, de 650 voltios, basados en la tecnología de GaN Systems.

Los dos nuevos HEMT de alta potencia, TDG650E30B y TDG650E15B, ofrecen un rendimiento de corriente más bajo de 30 y de 15 amperios, respectivamente, mientras que el 650 V original, presentado el año pasado, el TDG650E60, ofrece 60 A.

Estos HEMT de GaN de 650 V son los dispositivos de potencia de GaN de voltaje más alto disponibles en el mercado para aplicaciones militares, de aviónica y espaciales exigentes y de alta confiabilidad. Son ideales para aplicaciones como fuentes de alimentación, control de motores y topologías de medio puente.

Vienen con una configuración de enfriamiento en la parte inferior y cuentan con un troquel FOM Island Technology® ultrabajo, empaque de GaNPX® de baja inductancia, conmutación de muy alta frecuencia de >100 MHz, tiempos de subida y bajada rápidos y controlables, capacidad de corriente inversa y más.

“Nos complace continuar desarrollando nuestra familia de 650 V de HEMT de GaN, de alta potencia, para aplicaciones que requieren la mayor confiabilidad, como espacio”, señaló Mont Taylor, vicepresidente de Desarrollo Comercial de Teledyne e2v HiRel. “Creemos que el empaque de menor tamaño de estos nuevos dispositivos realmente beneficiará a los clientes que diseñan para los proyectos de mayor densidad de energía”.

El TDG650E15B y el TDG650E30B son transistores de potencia GaN-on-Silicon de modo de mejora que permiten alta corriente, ruptura de alto voltaje y alta frecuencia de conmutación, al tiempo que ofrecen una resistencia térmica de unión a caja muy baja para aplicaciones de alta potencia.

Los dispositivos de nitruro de galio han revolucionado la conversión de energía en otras industrias y ahora están disponibles en envases encapsulados de plástico tolerantes a la radiación que se han sometido a pruebas eléctricas y de confiabilidad estrictas para garantizar el éxito de la misión crítica. El lanzamiento de estos nuevos HEMT de GaN ofrece a los clientes los beneficios de eficacia, tamaño y densidad de potencia necesarios en aplicaciones de energía aeroespaciales y de defensa críticas.

Para todas las líneas de productos, Teledyne e2v HiRel realiza la calificación y las pruebas más exigentes adaptadas a las aplicaciones de mayor confiabilidad. Para los dispositivos de potencia, este régimen incluye prueba de sulfúrico, simulación de gran altitud, quemado dinámico, estrés escalonado hasta 175 °C de temperatura ambiente, voltaje de compuerta de 9 voltios y prueba de temperatura completa. A diferencia de los dispositivos de silicio sobre carburo (SiC), estos dos dispositivos se pueden implementar fácilmente en paralelo para aumentar la corriente de carga o reducir el RDSon efectivo.

Ambos dispositivos nuevos ya están disponibles para pedidos y para compras inmediatas.

Acerca de Teledyne e2v HiRel
Las innovaciones de Teledyne e2v HiRel lideran los desarrollos en los mercados espacial, de transporte, defensa e industrial. El enfoque único de Teledyne e2v HiRel implica escuchar los desafíos del mercado y las aplicaciones de los clientes y asociarse con ellos para proporcionar soluciones innovadoras estándar, semiautomáticas o totalmente personalizadas, que aportan un mayor valor a sus sistemas. Para obtener más información, visite www.teledynedefelec.com.

Acerca de GaN Systems
GaN Systems es el líder mundial en semiconductores de potencia GaN con la mayor cartera de transistores que abordan de manera única las necesidades de los sectores más exigentes de la actualidad, incluidos los servidores de centros de datos, los sistemas de energía renovable, la automoción, los motores industriales y la electrónica de consumo. Como innovador líder en el mercado, GaN Systems hace posible el diseño de sistemas de energía más pequeños, de menor costo y más eficaces. Los productos galardonados de la compañía brindan oportunidades de diseño de sistemas sin las limitaciones del silicio de ayer. Al cambiar las reglas del rendimiento de los transistores, GaN Systems permite a las empresas de conversión de energía revolucionar sus industrias y transformar el mundo. Para obtener más información, visite www.gansystems.com o siga a GaN Systems en Facebook, Twitter y LinkedIn.

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Contacto con los medios de comunicación:
Darrek Porter, director de Comercialización
Teledyne Defense Electronics
(404)-368-9714 darrek.porter@teledyne.com

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