TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation heeft vandaag de ontwikkeling aangekondigd van ‘s werelds eerste [1] driedimensionale (3D) halfcirkelvormige split-gate flash-geheugencelstructuur “Twin BiCS FLASH” met behulp van de speciaal ontworpen halfronde Floating Gate (FG) cellen. Twin BiCS FLASH bereikt een kwalitatieve programmahelling en een groter programma / wisvenster bij een veel kleinere celgrootte in vergelijking met conventionele circulaire Charge Trap (CT) -cellen. Deze kenmerken maken dit nieuwe celontwerp een veelbelovende kandidaat om vier bits per cel (QLC) te overtreffen voor een aanzienlijk hogere geheugendichtheid en minder stapellagen. Deze technologie werd aangekondigd tijdens de IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) op 11 december in San Francisco, CA.
Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.
