東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（「東芝」）已推出搭載高效率靜電放電保護的雙MOSFET SSM6N813R，該產品適用於需要耐高電壓和小尺寸的汽車應用，包括LED頭燈驅動器IC。量產出貨將於四月啟動。
100V的最大漏源極電壓(VDSS)可確保SSM6N813R適用於需要多個LED的頭燈應用，高靜電放電抗擾度為這一能力提供支援。SSM6N813R採用最新製程製造，使用 TSOP6F封裝，具備1.5W的允許功耗和低導通電阻。此外，TSOP6F的封裝尺寸比SOP8封裝小70%。
應用場合
- 汽車LED頭燈驅動器
特點
- 小型封裝
- 高效率靜電放電保護
- 低RDS(ON)
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主要規格 |
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| (@Ta=25℃) | ||||||
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項目 (Ta=25℃) |
SSM6N813R | |||||
| 絕對最大額定值 |
漏源極電壓 VDSS (V) |
100 | ||||
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閘源極電壓 VGSS (V) |
+/-20 | |||||
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漏極電流 ID (A) |
3.5 | |||||
| 電氣特性 |
漏源極導通電阻 RDS(ON)最大值 (mΩ) |
VGS=10V | 112 | |||
| VGS=4.5V | 154 | |||||
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輸入電容 Ciss典型值(pF) |
242 | |||||
| 封裝 | TSOP6F | 2.9mm×2.8mm；t=0.8mm | ||||
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