東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、LEDヘッドライト駆動用などに適した、1パッケージに2回路搭載でESD耐量に優れたMOSFET「SSM6N813R」を製品化し、4月に量産を開始します。
新製品は、耐圧(VDSS)100Vまで対応しており、車載ヘッドライト用としてLEDが複数個使用される回路に適しています。最先端の微細プロセスチップをTSOP6Fパッケージに搭載したことにより、高許容損失(1.5W)、低Ronの製品が実現できました。また、TSOP6F パッケージはSOP8パッケージと比較して実装面積を70%削減することが可能です。
高ESD耐量特性により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。特に、高耐圧と実装面積の低減が求められるLEDヘッドライト駆動回路の使用に適しています。
応用機器
- 車載向け LEDヘッドライト駆動用
新製品の主な特長
- 小型パッケージ製品
- 高ESD耐量品
- 低Ron
新製品の主な仕様 |
||||||
(@Ta=25℃) |
||||||
項目 |
SSM6N813R | |||||
絶対最大定格 |
ドレイン・ソース間電圧 |
100 | ||||
ゲート・ソース間電圧 |
+/-20 |
|||||
ドレイン電流 |
3.5 | |||||
電気的特性 |
ドレイン・ソース間オン抵抗 |
VGS=10V |
112 | |||
VGS=4.5V |
154 | |||||
入力容量 |
242 | |||||
パッケージ | TSOP6F | 2.9mm×2.8mm; t=0.8mm | ||||
東芝の小型・低オン抵抗MOSFETの詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html
お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
小信号デバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html
*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。