TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el lanzamiento de fotoacopladores con amplificador de potencia con paquete SO6L de baja altura para usar en la amplificación de IGBT de potencia pequeña a media y MOSFET de potencia. La producción en masa está programada para finales de enero.
Los nuevos productos, “TLP5701” para amplificar IGBT de pequeña potencia y “TLP5702” para amplificar IGBT de potencia media, son los primeros fotoacopladores de Toshiba que usan el paquete SO6L de baja altura. Con apenas un 54 % de productos de Toshiba que usan el paquete SDIP6, los nuevos dispositivos contribuirán al desarrollo de conjuntos más delgados. A pesar de su baja altura, los dispositivos garantizan una distancia de fuga de 8 mm, lo que los convierte en adecuados para aplicaciones que requieren mayores especificaciones de aislamiento.
“TLP5701” y “TLP5702” logran una baja corriente de alimentación de 2,0 mA (máxima) y un bajo consumo al utilizar la tecnología del proceso BiCMOS. Combinados con un LED infrarrojo original de gran potencia y fiabilidad, se los puede utilizar en una amplia variedad de aplicaciones, que incluyen las que requieren gran estabilidad térmica, como sistemas de potencia fotovoltaica para el hogar y para automatización de fábrica, electrodomésticos digitales y equipos de control. El tiempo de retardo de propagación máximo y el desvío de retardo de propagación están garantizados dentro del rango de temperatura operativa definido (hasta 110 grados centígrados), lo que posibilita reducir el tiempo muerto en el circuito inversor, con lo que se puede asegurar una mayor eficiencia operativa.
Especificaciones principales de los nuevos productos |
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Número de pieza | TLP5701 | TLP5702 | ||
Corriente de salida máxima | IOP= ± 0,6 A (máx.) | IOP= ± 2,5 A (máx.) | ||
Tensión de alimentación |
Vcc = 10 V a 30 V |
Vcc = 15 V a 30 V |
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Corriente de alimentación |
Icc = 2,0 mA (máx.) |
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Umbral de corriente de entrada | IFLH= 5 mA (máx.) | |||
Tiempo de retardo de propagación |
tpLH/tpHL= 500 ns (máx.) |
tpLH/tpHL= 200 ns (máx.) |
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Desvío de retardo de propagación |
tpsk= -80 a 80 ns |
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Distancia de fuga | 8 mm (mín.) | |||
Tensión de aislamiento | BVs = 5000 Vrms | |||
Rango de temperatura operativa |
Topr = -40℃ a 110℃ |
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Aplicaciones |
Para la amplificación de IGBT de potencia pequeña (hasta clase
20A) y MOSFET de potencia. |
Para la amplificación de IGBT de potencia media (hasta clase 80A)
y MOSFET de potencia. |
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Siga este enlace para obtener más información sobre los fotoacopladores
de Toshiba.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/opto/coupler/index.html
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