东芝推出新款N沟道低导通电阻MOSFET

产品采用最新第八代工艺,可用于锂离子电池保护电路和手机电源管理开关

Toshiba N-channel Low ON-Resistance MOSFET (Photo: Business Wire)

Toshiba N-channel Low ON-Resistance MOSFET (Photo: Business Wire)

东京--()--(美国商业资讯) -- 东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)推出了一款低导通电阻MOSFET—TPN2R503NC。该产品采用最新的第八代工艺打造,可用于锂离子电池保护电路和手机电源管理开关。其他两款第八代产品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被添加到该产品系列中,成为现有型号的换代产品。所有三款产品均有助于降低设备厚度和总体尺寸,并可提高效率。

应用

1. 锂离子电池保护电路

2. 手机电源管理开关

主要特点

1. 由于采用了最新的第八代工艺,因此产品的导通电阻比现有的东芝产品要低。

2. 采用了TSON Advance封装,可提供出色的散热性能。

3. 高抗雪崩性能。

 

新产品的主要规格

零件号   VDSS(V)   VGSS(V)   RDS(ON) (mΩ)   封装
VGS=10V   VGS=4.5V
标准值   最大值 标准值   最大值
TPN2R503NC 30 ±20 2.1 2.5 3.2 4.1 TSON Advance
TPN4R203NC 3.5 4.2 5.1 6.4
TPN6R303NC       5.2   6.3   6.9   8.4  
 

*通过以下链接了解该产品的更多信息:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1265359_2470.html

关于东芝

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东芝成立于1875年,如今运营有一个由550多家各级公司组成的全球网络,在全球拥有202,000名员工,年销售额逾6.1万亿日元(740亿美元)。请访问东芝网站:www.toshiba.co.jp/index.htm

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东芝半导体 & 存储产品公司
Koji Takahata, +81-3-3457-3405
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