Toshiba Memory Corporation entwickelt den ersten 3D Flash-Speicher mit TSV-Technologie

Hohe Daten-In- und Outputgeschwindigkeit, niedriger Energieverbrauch, hohe Kapazität

The World's First 3D Flash Memory with TSV Technology (Photo: Business Wire)

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TOKIO--()--Die Toshiba Memory Corporation, Weltmarktführer bei Speicherlösungen, gab heute die Entwicklung des ersten drei-dimensionalen (3D) Flash-Speichers [1] BiCS FLASH™[2] mit Silicium-Durchkontaktierungs- (Through Silicon Via, TSV)[3] und 3-Bit-pro-Zelle-Technologie (Triple-Level Cell, TLC) bekannt. Der Versand von Prototypen für Entwicklungszwecke startete im Juni. Die Auslieferung von Produktmustern ist für die zweite Hälfte des Jahres 2017 vorgesehen. Der Prototyp dieses bahnbrechenden Speichers wird auf dem Flash Memory Summit 2017 in Santa Clara, Kalifornien, USA, vom 7.-10. August zu sehen sein.

Bei mit TSV-Technologie hergestellten Speichern werden die vertikalen Elektroden und Vias zur Passage durch die Silikonchips zum Anschluss verwendet. Diese Architektur bietet hohe Daten-In- und Outputgeschwindigkeit bei gleichzeitiger Reduzierung des Energieverbrauchs. Die praktische Leistungsfähigkeit wurde kürzlich mit der Einführung des 2D NAND Flash-Speichers[4] von Toshiba bewiesen.

Durch die Kombination eines 48-schichtigen 3D-Flash-Verfahrens mit der TSV-Technologie ist es der Toshiba Memory Corporation gelungen, die Bandbreite zur Produktprogrammierung zu erhöhen und gleichzeitig den Energieverbrauch zu senken. Die Energieeffizienz[5] eines einzelnen Pakets ist ungefähr doppelt[6] so hoch wie diejenige des mit Kupferdraht-Technologie hergestellten BiCS FLASH™-Speichers der gleichen Generation. Der TSV BiCS FLASH™ ermöglicht auch ein 1-Terabyte-Produkt mit einer 16-die-stacked-Architektur in einem einzigen Paket.

Die Toshiba Memory Corporation wird den BiCS FLASH™ mit TSV-Technologie vermarkten, um eine ideale Lösung für Speicheranwendungen zu bieten, die eine niedrige Latenzzeit, hohe Bandbreite und hohe IOPS[7]/Watt einschließlich moderner Enterprise-SSDs (Solid State-Laufwerke) benötigen.

Technische Daten (Prototyp)

Pakettyp     NAND Dual x8 BGA-152
Speicherkapazität   512 GB   1 TB
Zahl der Stapel   8 16
Äußere Maße     Breite   14 mm 14 mm
  D   18 mm 18 mm
    H   1,35 mm   1,85 mm
Schnittstelle   Toggle DDR
Schnittstelle max. Geschwindigkeit     1066Mbps
 

Hinweis:
[1] Quelle: Toshiba Memory Corporation, 11. Juli 2017.
[2] Eine Struktur aus vertikal auf Silikonsubstrat gestapelten Flash Memory-Zellen zur Erzielung bedeutender Dichteverbesserungen im Vergleich zum planaren NAND Flash-Speicher, bei dem die Zellen auf dem Silikonsubstrat gebildet werden.
[3] Through Silicon Via: Technologie mit vertikalen Elektroden und Vias zur Passage durch die Silikonchips zum Anschluss in einem einzigen Paket.
[4] „Toshiba entwickelt den ersten 16-die-stacked NAND Flash-Speicher mit TSV-Technologie”
http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2015/08/memory-20150806-1.html
[5] Datenübertragungsrate pro Energieeinheit. (MB/s/W)
[6] Verglichen mit den aktuellen Produkten der Toshiba Memory Corporation.
[7] Input Output pro Sekunde: Anzahl der Daten-In- und Outputs zur Verarbeitung über einen I/O-Port pro Sekunde. Ein höherer Wert repräsentiert bessere Leistung.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

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Toshiba Memory Corporation
Kota Yamaji, +81 3 3457 3473
Business Planning Division
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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