東芝:300mmウエハー対応パワー半導体新製造棟を竣工

右側が新製造棟、手前は新事務所棟 (写真:ビジネスワイヤ)

川崎--()--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は本日、グループ会社である加賀東芝エレクトロニクス株式会社(石川県能美市)にて、300mmウエハー対応パワー半導体新製造棟、および新事務所棟の竣工式を行いました。今回竣工したのは新製造棟の第1期分です。装置の搬入を進め、2024年度下期より本格的な生産を開始予定です。第1期フル稼働時には、低耐圧MOSFET注1、IGBT注2を中心とするパワー半導体の生産能力注3を、本建設を決定した2021年度比で2.5倍に増強する計画です。また、第2期については、市場の動向を見ながら建設と稼働開始の時期を決定していきます。

新製造棟は、地震の揺れを吸収する免震構造の採用や電源の2重化などを通じてBCP(事業継続計画)を強化するとともに、再生可能エネルギー由来の電力活用や、屋上への太陽光発電設備(オンサイトPPAモデル)設置などにより、使用する電力を100%再生可能エネルギー由来でまかないます。また、人工知能(AI)活用などを通じて、製品品質および生産効率をより向上させます。設備投資の一部には、経済産業省から「半導体の安定供給確保のための取組に関する計画(供給確保計画)」に基づく助成金の交付を受ける予定です。

電力を供給、制御する役目を果たすパワー半導体は、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。当社は、加賀東芝エレクトロニクス既存棟において、2022年度下期より300mmウエハーを用いたパワー半導体を生産しています。新製造棟の稼働開始により、パワー半導体の生産能力をさらに拡大し、カーボンニュートラルの実現に貢献していきます。

注1

 

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor):金属酸化膜半導体電界効果トランジスター

注2

 

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):絶縁ゲートバイポーラートランジスター

注3

 

200mmおよび300mmライン生産能力(200mmウエハー換算)

加賀東芝エレクトロニクス株式会社の概要

所在地:石川県能美市岩内町1番地1
設立:1984年12月
代表者:取締役社長 相田 聡
従業員数:1,150名 (2024年3月末時点)
生産品目:ディスクリート半導体(パワー半導体、小信号デバイス、オプトデバイス)
ホームページ: https://www.toshiba-kaga.co.jp/

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報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
株式会社 東芝
コーポレートコミュニケーション部 メディアコミュニケーション室
Phone 03-3457-2100
Mail media.relations@toshiba.co.jp

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