Toshiba completa il nuovo impianto di produzione di wafer da 300 millimetri per i semiconduttori di potenza

Right: Phase 1 of the new fabrication facility, foreground: the new office building (Graphic: Business Wire)

KAWASAKI, Giappone--()--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") ha tenuto oggi una cerimonia per celebrare la realizzazione di un nuovo impianto di produzione di wafer da 300 millimetri per semiconduttori di potenza e di un palazzo di uffici presso la Kaga Toshiba Electronics Corporation nella Prefettura di Ishikawa, in Giappone, una delle principali società del gruppo Toshiba. Il completamento della costruzione costituisce un traguardo importante per la fase 1 del programma pluriennale di investimenti di Toshiba. Toshiba procederà ora all'installazione delle apparecchiature, per avviare la produzione in serie nella seconda metà dell'anno 2024. Non appena la fase 1 avrà raggiunto la piena operatività, la capacità produttiva di Toshiba per i semiconduttori di potenza, principalmente MOSFET e IGBT, sarà 2,5 volte superiore a quella del 2021, anno in cui è stato lanciato il piano di investimento.

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