Toshiba concluye su nueva planta de fabricación de obleas de 300 milímetros para semiconductores de potencia

Right: Phase 1 of the new fabrication facility, foreground: the new office building (Photo: Business Wire)

KAWASAKI, Japón--()--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ha organizado una ceremonia para conmemorar la finalización de una nueva instalación de fabricación de obleas de 300 milímetros para semiconductores de potencia y un edificio de oficinas en Kaga Toshiba Electronics Corporation, en la prefectura de Ishikawa (Japón), una de las principales empresas del grupo Toshiba. La finalización de la construcción representa un importante hito para la Fase 1 del programa de inversión plurianual de Toshiba, que ahora procederá a la instalación de equipos, con vistas a iniciar la producción en masa en la segunda mitad del año fiscal 2024. Una vez que la Fase 1 alcance la plena operatividad, la capacidad de producción de Toshiba de semiconductores de potencia, principalmente MOSFET[1] e IGBT[2], será 2,5 veces superior a la del año fiscal 2021, cuando se realizó el plan de inversiones[3]. Las decisiones sobre la construcción y puesta en marcha de la Fase 2 se tomarán en función de la evolución del mercado.

La nueva planta de fabricación sigue y contribuirá en gran medida al Plan de Continuidad de Negocio (Business Continuity Plan, BCP) de Toshiba: cuenta con una estructura de aislamiento sísmico que absorbe las sacudidas de los terremotos y fuentes de energía redundantes. La energía, que procede de fuentes renovables, y los paneles solares situados en el tejado del edificio (modelo PPA in situ) permitirán a las instalaciones cubrir el 100% de sus necesidades energéticas con energía renovable.

La calidad del producto y la eficiencia de la producción se verán impulsadas por el uso de inteligencia artificial (IA). Toshiba espera recibir una subvención del Ministerio de Economía, Comercio e Industria de Japón para financiar su inversión en parte del equipo de fabricación.

Los semiconductores de potencia desempeñan un papel primordial en el suministro y control de la electricidad, y son dispositivos esenciales para la eficiencia energética de todos los equipos eléctricos. Dada la continua electrificación de los automóviles y la automatización de la maquinaria industrial, se espera que su demanda siga creciendo con fuerza. Toshiba inició la producción de semiconductores de potencia en una nueva línea de obleas de 300 milímetros en la segunda mitad del año fiscal 2022 en las instalaciones existentes de Kaga Toshiba Electronics. En el futuro, la empresa ampliará la producción con la nueva fábrica y seguirá contribuyendo a la neutralidad en carbono.

[1] Transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico
[2] Transistor bipolar de compuerta aislada
[3] El total de la capacidad de fabricación de obleas de 200 y 300 milímetros (equivalente a 200 milímetros)

Información general de Kaga Toshiba Electronics Corporation

Localización: 1-1, Iwauchi-machi, Nomi-shi, Prefectura de Ishikawa, Japón.
Fundación: Diciembre de 1984
Presidente y director representante: Satoshi Aida
Empleados: 1150 (a 31 de marzo de 2024)
Principales productos: Semiconductores discretos (semiconductores de potencia, dispositivos de pequeña señal y dispositivos optoelectrónicos)
Web: https://www.toshiba-kaga.co.jp/ (únicamente en japonés)

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Acerca de Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, proveedor líder de semiconductores avanzados y soluciones de almacenamiento, se basa en más de medio siglo de experiencia e innovación para ofrecer a sus clientes y socios comerciales semiconductores discretos, integraciones a gran escala (LSI) de sistema y productos de disco duro (HDD) excepcionales.

Más información en https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

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