Power Integrations收購Odyssey Semiconductor旗下資產

這場交易有助於該公司繼續發高電壓、高功率氮化鎵技術

加州,聖荷西--()--(美國商業資訊)--節能功率轉換之高壓積體電路領導廠商 Power Integrations(納斯達克代號:POWI)今天宣布達成一份協議,將收購垂直型氮化鎵 (GaN) 電晶體技術開發商Odyssey Semiconductor Technologies(OTCQB代號:ODII)旗下資產。這場交易的成交日訂於2024年7月,預計Odyssey的所有關鍵員工都將在成交日後加入Power Integrations的技術部門。

這場收購將支援該公司為其專利PowiGaN™制定的持續發展路線圖。 PowiGaN™應用在該公司的多種產品系列中,包括InnoSwitch™積體電路、HiperPFS™-5功率因數修正控制器積體電路和最近推出的InnoMux™-2獨立穩壓多輸出積體電路。該公司在2023年推出了900-和1250-伏特的PowiGaN技術及產品。

Power Integrations技術副總裁Radu Barsan博士表示:「我們在2018年開始將PowiGaN技術應用於產品中,從那時起,Power Integrations便一直走在氮化鎵開發及商業化的前端。我們依循的發展路線圖目標遠大,計畫促成矽MOSFET(金屬—氧化物—半導體場效電晶體)成本平價,並擴大PowiGaN的電壓及功率能力。我們的目標是將具成本效益的高電流高電壓氮化鎵技術商業化,以支援目前碳化矽 (SiC) 在高功率應用中的表現;且由於氮化鎵和碳化矽的基本材料特性,可大幅減低成本並有更高的性能。Odyssey團隊在高電流垂直氮化鎵方面的經驗將輔助加速這些努力,我們熱烈歡迎他們加入團隊 。」

Odyssey共同創辦人暨執行長Richard Brown博士也表示:「能夠加入Power Integrations,加速發展他們的氮化鎵技術路線圖,Odyssey團隊和我深感榮幸。Power Integrations身為第一家為高電壓氮化鎵進行商業化的公司,將領導這個產業,針對成本、電壓和電流以及充分利用氮化鎵功能的系統級產品設計繼續發展。」

關於Power Integrations

Power Integrations, Inc.是高電壓轉換半導體技術的領導創新廠商。該公司的產品在綠色能源生態系統中起著關鍵作用,不僅能夠利用可再生能源發電,還能在從毫瓦到兆瓦等各種應用中實現高效的功率傳輸及消耗。如需進一步資訊,請造訪: www.power.com

Power Integrations、PowiGaN、InnoSwitch、HiperPFS、InnoMux和Power Integrations標誌為 Power Integrations, Inc. 的商標或註冊商標。所有其他商標為其個別所有者之財產。

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聯絡人

Joe Shiffler
Power Integrations, Inc.
(408) 414-8528
joe@power.com

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