La memoria flash NOR SPI a doppia alimentazione di GigaDevice per SoC da 1,2 V dimezza il consumo energetico in lettura

GD25NE integra una tensione core di 1,8 V con un I/O di 1,2 V per eliminare il circuito booster e offrire prestazioni di lettura/programmazione/cancellazione a velocità più elevata

NORIMBERGA, Germania--(BUSINESS WIRE)--GigaDevice, azienda leader nel settore dei semiconduttori specializzata in memorie flash, microcontroller (MCU) a 32-bit, sensori, prodotti e soluzioni analogici, ha presentato la serie GD25NE di memoria flash SPI NOR a doppia alimentazione, appositamente sviluppata per applicazioni system-on-chip (SoC) da 1,2 V.

La serie GD25NE rafforza la roadmap strategica per le memorie flash a doppia alimentazione di GigaDevice, offrendo una compatibilità perfetta con i SoC da 1,2 V di prossima generazione ed eliminando la necessità di un circuito booster esterno. Grazie alle prestazioni più elevate e al consumo energetico ridotto, la serie GD25NE risponde alla domanda crescente di storage embedded avanzato, e costituisce la scelta ideale per i dispositivi indossabili, la sanità, l'IoT, i data center e le applicazioni IA Edge.

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