HSINCHU, Taiwan--(BUSINESS WIRE)--La memoria magnetoresistiva ad accesso casuale (MRAM) è la candidata all'avanguardia per la tecnologia digitale di prossima generazione, ma la sua gestione efficiente ed efficace ha tuttavia comportato notevoli problemi. Un team di ricerca interdisciplinare che opera presso la National Tsing Hua University (NTHU) di Taiwan, guidato dal Prof. Chih-Huang Lai e dal Prof. Hsiu-Hau Lin, di recente ha fatto una scoperta rivoluzionaria: aggiungendo uno strato di platino dello spessore di pochissimi nanometri viene generata una corrente di spin per l'attivazione 'su misura', per la prima volta in assoluto, dei momenti magnetici associati alla forza di ancoraggio (pinning).
L'elaborazione e la memorizzazione dei dati sono essenziali in moltissimi settori, dai telefoni cellulari ai computer, dai dispositivi indossabili all'Internet delle cose, fino alle attività nelle città intelligenti.
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