Toshiba Memory Corporation Desarrolla la Primera Memoria Flash 3D con Tecnología TSV

Logra una entrada y salida de datos de alta velocidad, bajo consumo energético, gran capacidad

The World's First 3D Flash Memory with TSV Technology (Photo: Business Wire)

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TOKIO--()--Toshiba Memory Corporation, la empresa líder a nivel mundial en soluciones de memoria, anunció hoy que ha desarrollado la primera [1] memoria tridimensional (3D) BiCS FLASH™[2], con tecnología de vías que atraviesan el silicio (Through Silicon Via, TSV)[3] y de 3 bits por celda (celda de triple nivel, TLC en inglés). El envío de prototipos para desarrollo comenzó en el mes de junio y está programado lanzar muestras del producto en el segundo semestre de 2017. El prototipo de este innovador dispositivo se presentará en la Flash Memory Summit 2017, que tendrá lugar del 7 al 10 de agosto en Santa Clara, California, EE. UU.

Los dispositivos fabricados con la tecnología TSV poseen electrodos verticales y vías que pasan a través de «dies» de silicio para proporcionar las conexiones. Esta arquitectura logra que la entrada y salida de datos se realice a alta velocidad al tiempo que reduce el consumo energético. El funcionamiento real de esta tecnología ya se ha comprobado previamente, con la introducción de la memoria Flash NAND 2D de Toshiba [4].

Gracias a la combinación de un proceso de flash 3D de 48 capas con la tecnología TSV, Toshiba Memory Corporation ha conseguido aumentar el ancho de banda de programación del producto, lo que permite lograr un bajo consumo energético. La eficiencia energética[5] de un solo paquete es de aproximadamente[6] el doble que la de la memoria de la misma generación BiCS FLASH™ fabricada con tecnología «wire-bonding». La BiCS FLASH™ con TVS también permite ofrecer un dispositivo de 1 terabyte (TB) con una arquitectura de 16 «dies» apilados en un solo paquete.

Toshiba Memory Corporation comercializará la BiCS FLASH™ con tecnología TSV para ofrecer una solución ideal para aplicaciones de almacenamiento que requieren una baja latencia, un ancho de banda elevado y un alto rendimiento de IOPS[7]/vatios, incluidas las unidades SSD de empresas de alta gama.

Especificaciones generales (prototipo)

Tipo de paquete     NAND Dual x8 BGA-152
Capacidad de almacenamiento   512 GB   1 TB
Número de pilas   8 16
Dimensiones externas     Ancho   14 mm 14 mm
  Profundidad   18 mm 18 mm
    Altura   1,35 mm   1,85 mm
Interfaz   DDR alterno
Velocidad máxima de interfaz     1066 Mbps
 

Nota:

[1] Fuente: Toshiba Memory Corporation, a partir del 11 de julio de 2017.
[2] Una estructura que apila verticalmente células de memoria Flash sobre una base de silicio para lograr mejoras significativas de densidad en comparación con la memoria Flash NAND plana, donde las células se forman en la base de silicio.
[3] Through Silicon Via: la tecnología que tiene electrodos verticales y vías para pasar por el silicio los «dies» de conexión en un solo paquete.
[4] «Toshiba Develops World’s First 16-die Stacked NAND Flash Memory with TSV Technology»
http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2015/08/memory-20150806-1.html
[5] La tasa de transferencia de datos por unidad de energía. (MB/s/W)
[6] En comparación con los productos actuales de Toshiba Memory Corporation.
[7] Entrada/salida por segundo (Input/Output per Second): La cantidad de entradas y salidas de datos que se procesan mediante un puerto de E/S por segundo. Un valor más alto representa un mejor rendimiento.

El texto original en el idioma fuente de este comunicado es la versión oficial autorizada. Las traducciones solo se suministran como adaptación y deben cotejarse con el texto en el idioma fuente, que es la única versión del texto que tendrá un efecto legal.

Contacts

Toshiba Memory Corporation
Kota Yamaji, +81-3-3457-3473
División de Planificación Comercial
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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