TÓQUIO--(BUSINESS WIRE)--A Toshiba Memory Corporation, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje que desenvolveu a primeira[1] memória flash tridimensional (3D) BiCS FLASH™[2] do mundo usando tecnologia Through Silicon Via (TSV)[3] com tecnologia de três bits por célula, ou célula de nível triplo (triple-level cell, TLC). O envido de protótipos para fins de desenvolvimento iniciou em junho e o lançamento de amostras do produto está programado para o segundo semestre de 2017. O protótipo deste dispositivo revolucionário será apresentado no Flash Memory Summit 2017, que será realizado de 7 a 10 de agosto em Santa Clara, Califórnia, EUA.
Dispositivos fabricados com tecnologia TSV têm eletrodos e vias verticais que passam por circuitos integrados para oferecer conexões, uma arquitetura que alcança entrada e saída de dados em alta velocidade enquanto reduz o consumo de energia. O desempenho real foi anteriormente comprovado, com a introdução da memória flash NAND 2D[4] da Toshiba.
Combinar um processo flash 3D de 48 camadas e tecnologia TSV permitiu que a Toshiba Memory Corporation aumentasse com êxito a largura de banda de programação do produto alcançando um baixo consumo de energia. A eficiência de energia[5] de um único pacote é aproximadamente duas vezes[6] superior à memória BiCS FLASH™ de mesma geração fabricada com tecnologia "wire-bonding" (ligação de fios). A BiCS FLASH™ com TSV também capacita um dispositivo de 1 terabyte (TB) com uma arquitetura de 16 pastilhas empilhadas num único pacote.
A Toshiba Memory Corporation comercializará a BiCS FLASH™ com tecnologia TSV para oferecer uma solução ideal para aplicações de armazenamento que exigem baixa latência, alta largura de banda e altas IOPS[7]/Watt, inclusive SSD empresarial de alta capacidade.
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Especificações gerais (protótipo) |
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| Tipo de pacote | NAND Dual x8 BGA-152 | |||||||
| Capacidade de armazenamento | 512 GB | 1 TB | ||||||
| Número de pilhas | 8 | 16 | ||||||
| Dimensão externa | W | 14 mm | 14 mm | |||||
| D | 18 mm | 18 mm | ||||||
| H | 1,35 mm | 1,85 mm | ||||||
| Interface | Alternância DDR | |||||||
| Velocidade máx. da interface | 1066 Mbps | |||||||
Observação:
[1] Fonte: Toshiba Memory Corporation, em 11 de julho
de 2017.
[2] Uma estrutura que empilha verticalmente células de
memória Flash em um substrato de silício para alcançar significativas
melhorias de densidade em relação à memória Flash NAND, na qual as
células estão formadas no substrato de silício.
[3] Through Silicon
Via: a tecnologia com eletrodos e vias verticais que passam por
circuitos integrados para oferecer conexão num único pacote.
[4]
“Toshiba desenvolve primeira memória flash NAND com 16 pastilhas
empilhadas do mundo com tecnologia TSV”
http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2015/08/memory-20150806-1.html
[5]
A taxa de velocidade de transferência de dados por unidade de força
(MB/s/W).
[6] Em comparação com os produtos atuais da Toshiba
Memory Corporation.
[7] Entrada/saída por segundo: o número de
entradas e saídas de dados para processamento por uma porta de E/S por
segundo. Um valor maior representa um melhor desempenho.
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